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1、聯柵功率管功率管新一代功率器件新一代功率器件北京北京優捷敏半捷敏半導體技體技術有限公司有限公司http:/添加您的標題內容LOGO所屬領域電力電子技術的基礎應用于功率器件（芯片設計）電能轉化場景直流-直流；直流-交流；交流-交流；交流-直流1.11.1 產業產業介介紹紹添加您的標題內容LOGO01020605應用場景新能源軌道交通通訊工業控制0108030704電源1.21.2應應用用場場景景智能電網家用電器電力系統添加您的標題內容LOGO高端芯片依賴進口技術、設備封鎖專利壁壘成本高昂人才緊缺影響產業鏈健康發展1.31.3產業產業痛點痛點 1.5市市場規模模2300億元元占世界占世界40%超超2、過10%速度速度遞增增添加您的標題內容LOGO1 換代技術新一代功率芯片結構技術3 技術優勢2 專利布局4 制造優勢高可靠，低功耗優化整機散熱系統高成品率，低成本13項發明專利量產工藝平臺國內現有設備、工藝大規模生產投資亮點投資亮點發展目標發展目標表表1 現在在 BJT MOS IGBT三分天下三分天下表表2 未來未來5-10年年 GAT替代替代BJT以及以及100V-1200V MOS IGBT未來未來5-105-10年，占年，占領領功率器件功率器件1/31/3以上以上添加您的標題內容LOGOBJT結構示意圖GAT結構示意圖項項目介目介紹紹：芯片：芯片結結構示意構示意圖圖聯柵的的“柵”是交叉3、是交叉柵，跟，跟發射極金屬射極金屬層正交的正交的濃基區基區聯柵結構可以構可以把重復把重復單元做元做得很小得很小添加您的標題內容LOGOBJT 0.75*0.75 GAT 0.7*0.7 芯片芯片設計設計版版圖圖高可靠的高可靠的結構原理：重復構原理：重復單元小（元小（10m），是），是BJT1/10，GTO1/100解決解決電流型器件失效原因：流型器件失效原因：電流集流集邊效效應解決解決BJT二次二次擊穿，穿，GTO dI/dt，dV/dt限制限制添加您的標題內容LOGO技術優勢技術優勢聯柵功率管功率管聯柵晶晶閘管管GATH1200V以上以上聯柵晶體管晶體管GAT1200V以下以下中高中高壓領域4、有域有競爭爭優勢 聯柵功率管相對傳統器件性能優勢聯柵功率管相對傳統器件性能優勢器件產品器件產品BJTBJTMOSMOSIGBTIGBTGATGAT安全工作區安全工作區受二次擊穿影響受二次擊穿影響SOASOA小小無二次擊穿無二次擊穿SOASOA大大無二次擊穿無二次擊穿SOASOA大大無二次擊穿無二次擊穿SOASOA大大溫度特性溫度特性電流溫度系數為正電流溫度系數為正會熱崩會熱崩電流系數為負電流系數為負穩定性好穩定性好調整結構參數調整結構參數能使溫度系數為零能使溫度系數為零電流弱溫度系數電流弱溫度系數穩定性好穩定性好工作溫度工作溫度150150200200175175220220開關速度開關速度15、515ss0.10.50.10.5ss0.51s0.51s0.10.60.10.6ss開關損耗開關損耗中中 高高很低很低低低 中中低低最大脈沖電流密最大脈沖電流密度（度（A/cmA/cm2 2)30050030050030050030050010002000100020004000500040005000并聯使用并聯使用不能簡單并聯不能簡單并聯能直接并聯能直接并聯能直接并聯能直接并聯能直接并聯能直接并聯單管最大電流單管最大電流100 A100 A50 A50 A400 A400 A400 A400 AUG03UG03芯片面積芯片面積0.70.7*0.7mm0.7mm2 21300313003芯6、片面積芯片面積1.631.63*1.63mm1.63mm2 2電子子鎮流器流器銷售幾售幾億顆芯片芯片成本成本優勢優勢添加您的標題內容LOGOxxx工藝工程師浙江大學微電子學院xxx聯合創始人COO中科院心理學碩士xxx技術創始人CTO中國第一只高壓IGBT制造者xxx公司創始人CEO北京第二外國語學院管理學碩士我我們們的的團隊團隊xxx應用技術北方交通大學電力電子專業碩士創始人簡介創始人簡介聯柵功率管的發明人李思敏，北京大學聯柵功率管的發明人李思敏，北京大學6464屆半導體物理專業畢業生，教屆半導體物理專業畢業生，教授級高級工程師。授級高級工程師。19841984年之前，跟清華大學微電子所合作7、開發計算機用年之前，跟清華大學微電子所合作開發計算機用集成電路，獲得北京市科技進步三等獎和高教部科技進步一等獎。集成電路，獲得北京市科技進步三等獎和高教部科技進步一等獎。19851985年之后，轉入電力電子器件。年之后，轉入電力電子器件。19861986年跟成都電子大學陳星弼教授（現在年跟成都電子大學陳星弼教授（現在是兩院院士）的研究生黃勤（現在在美國，是國際上研發是兩院院士）的研究生黃勤（現在在美國，是國際上研發MCTMCT的專家）合的專家）合作，開發出中國第一只高壓作，開發出中國第一只高壓IGBTIGBT。為了實現。為了實現“八五八五”攻關，攻關，19941994年被派年被派往美國學習溝槽8、型功率往美國學習溝槽型功率MOSMOS管和溝槽型管和溝槽型IGBTIGBT。回來后，把。回來后，把MOSMOS管、管、IGBTIGBT的的溝槽型立體結構和多晶硅大面積覆蓋結構移植到雙極管領域，融合了靜溝槽型立體結構和多晶硅大面積覆蓋結構移植到雙極管領域，融合了靜電感應晶體管電感應晶體管SITSIT技術和超高速多晶硅發射極晶體管技術，并獨創了技術和超高速多晶硅發射極晶體管技術，并獨創了P+P+柵柵極電流從側下引出到匯流條再接柵極金屬層的技術，原創了槽型柵多晶極電流從側下引出到匯流條再接柵極金屬層的技術，原創了槽型柵多晶硅發射極聯柵晶體管硅發射極聯柵晶體管TPGATTPGAT（Trench Pol9、ysilicon-emitter Gate Trench Polysilicon-emitter Gate Associated Transistor Associated Transistor）。）。19961996年聯柵功率管啟動開發，年聯柵功率管啟動開發，開發了系列開發了系列產品，獲得了多個發明專利。產品，獲得了多個發明專利。添加您的標題內容LOGO應用：電子鎮流器階段：銷售，性價比1:2400V系列1200V-1700V應用-單管：電磁爐，電焊機等模塊：新能源領域，如充電樁，光伏并網、太陽能逆變器，感應加熱，新能源汽車等階段：實驗批（2019.1）驗證產品：1200V 100A/20010、A/400A 1700V 100A/200A/400A3300V以上應用：軌道交通，大型設備等設計規劃（2019.6）0102030405SIC GAT/GATH專利布局發發展展規規劃劃添加您的標題內容LOGO芯片芯片設計設計芯片芯片制造制造封裝封裝應用應用領域領域代工代工代工代工重點客戶團隊團隊+合作合作+產學研產學研戰戰略略合合作作代工代工代工代工驗證商商業業模式模式渠道分銷市市場前期資金投入前期資金投入(2012(2012年公司成立起年公司成立起)資金種類資金種類資金使用方向資金使用方向資金資金已投資金已投資金（自籌）（自籌）產品研發產品研發100100萬萬驗證驗證5050萬萬小批量試產11、小批量試產150150萬萬運營成本運營成本200200萬萬新品研發新品研發350350萬萬合計合計850850萬萬融資計劃融資計劃項目項目應用領域應用領域產品階段產品階段投入方向投入方向 資金需求資金需求時間時間目標目標3300V3300V6500V6500V軌道交通軌道交通大型設備大型設備產品研發產品研發實驗批實驗批 30 30萬萬2019.62019.6樣品樣品驗證驗證 50 50萬萬2019.122019.12方案方案工程批工程批 30 30萬萬2020.62020.6生產定型生產定型1200V1200V1700V1700V電磁爐、電電磁爐、電焊機、充電焊機、充電樁、風能太樁、風能太陽能12、逆變器、陽能逆變器、感應加熱等感應加熱等產品驗證產品驗證實驗批實驗批 30 30萬萬2019.12019.1樣品樣品驗證驗證 80 80萬萬2019.1-62019.1-6驅動驅動試產試產100100萬萬2019.6-102019.6-10小批量試產小批量試產工程批工程批 30 30萬萬2019.10-122019.10-12生產定型生產定型400V400V電子鎮流器電子鎮流器銷售銷售生產生產100100萬萬2019.1-122019.1-12年銷售額年銷售額500500萬萬管理管理 50 50萬萬合計合計500500萬萬首輪融資500萬，出讓股份5%，窗口期6個月創始團隊70%15%應用團隊資金首輪融資股權結構創始團隊研發團隊應用團隊市場團隊資金現股股權結構構李思敏李思敏:80%李李連宇宇:20%團隊暫由由創始人代持始人代持5%5%10%研發團隊市場團隊