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1、戰略新型半導體材料-氮化鋁鈧 (AlScN)高質量氮化鋁鈧(AlScN)外延及應用一代材料、一代技術、一代裝備一代材料、一代技術、一代裝備1.1.行業痛點：行業痛點：5G5G高頻濾波器依賴進口高頻濾波器依賴進口5G通信中新增了大量高頻頻段，高頻率，高性能的體聲波濾波器高頻率，高性能的體聲波濾波器(BAW)(BAW)成為必須成為必須。博通和威訊聯合半導體兩家美國公司分別占據了高頻BAW濾波器87%和8%的市場份額。近年由于美國對華為的“制裁”及芯片交易規則的改變，沒有了可用的5G射頻芯片，華為的P50系列手機就沒法接收和發送5G信號，5G5G手機手機只能當只能當4G4G用！用！國產射頻芯片產業鏈2、雖然可以量產5G天線、5G射頻開關等射頻芯片的組件，但在濾波器這濾波器這一重要一重要元器件上元器件上基本基本依依賴進口賴進口！國內射頻芯片去美效應凸顯，國產替代成為必須國產替代成為必須。射頻濾波器國產化率僅僅為低個位數，國內企業成長空間廣闊。華為5G5G手機只能當手機只能當4G4G用用，是因為被美國在高端，是因為被美國在高端5G5G射頻芯片上射頻芯片上“卡脖子卡脖子”！1.1.行業痛點：行業痛點：材料技術壟斷及出口封鎖材料技術壟斷及出口封鎖高頻BAW濾波器依賴的核心材料，是摻雜稀土元素鈧的氮化鋁薄膜，即氮化鋁鈧（氮化鋁鈧（AlScNAlScN），該材料長期被美國實施），該材料長期被美國實施技術3、壟斷及出口封鎖，國內發展十分滯后。技術壟斷及出口封鎖，國內發展十分滯后。氮化氮化鋁材料體系材料體系是美國能夠在高端5G射頻芯片上“卡脖子”的最關鍵一環氮化鋁氮化鋁（AlNAlN）高壓電系數：機械高壓電系數：機械高壓電系數：機械高壓電系數：機械能和電能之間的互能和電能之間的互能和電能之間的互能和電能之間的互相轉化能力相轉化能力相轉化能力相轉化能力是傳統壓電材料氮化鋁的4-8倍(44 vs 5.5 pC/N)更靈敏高機電耦合系數：表高機電耦合系數：表高機電耦合系數：表高機電耦合系數：表征器件電能轉化成機征器件電能轉化成機征器件電能轉化成機征器件電能轉化成機械能的比例械能的比例械能的比例械能的比例是4、氮化鋁的3+倍更高效壓電系數在高溫下壓電系數在高溫下壓電系數在高溫下壓電系數在高溫下穩定穩定穩定穩定PZT 350C vs AlN 1150C耐高溫與與與與CMOSCMOSCMOSCMOS工藝兼容工藝兼容工藝兼容工藝兼容薄膜形式及低雜質易集成氮化鋁鈧氮化鋁鈧AlScNAlScNAlScNAlScN2.2.項目意義：項目意義：填補空白，解決填補空白，解決“卡脖子卡脖子”問題問題項目致力于制造國際最前沿的壓電材料：項目致力于制造國際最前沿的壓電材料：項目致力于制造國際最前沿的壓電材料：項目致力于制造國際最前沿的壓電材料：高質量氮化鋁鈧高質量氮化鋁鈧高質量氮化鋁鈧高質量氮化鋁鈧(AlScN)(AlS5、cN)(AlScN)(AlScN)，以，以，以，以實現實現實現實現5G5G5G5G所需的高效低耗所需的高效低耗所需的高效低耗所需的高效低耗濾波器的國產替代，填補國內技術空白，使高端濾波器的國產替代，填補國內技術空白，使高端濾波器的國產替代，填補國內技術空白，使高端濾波器的國產替代，填補國內技術空白，使高端5G5G5G5G射頻芯片不再被歐美射頻芯片不再被歐美射頻芯片不再被歐美射頻芯片不再被歐美“卡脖子卡脖子卡脖子卡脖子”，與國際巨頭站在同一競爭維度國際巨頭站在同一競爭維度，獲得彎道超車的機會。在硅上AlScN（左）和藍寶石上AlScN（右）晶圓上制造的聲表面波（SAW）諧振器（德國）基底(可為硅6、，藍寶石，氮化稼等）AlScN外延層主營產品：主營產品：主營產品：主營產品：3.3.政策支持政策支持 5G5G+集成電路集成電路細分領域，是電子細分領域，是電子信息產業發展的核心信息產業發展的核心濾波器行業既屬于濾波器行業既屬于5G5G，又屬于集成電路細分領域，是中國電子，又屬于集成電路細分領域，是中國電子信息產業發展的核心。信息產業發展的核心。中國中央政府和地方政府給予5G及集成電路產業重視和支持前所未有、空前強大前所未有、空前強大。先后出臺一系列國家級相關政策，引導和推動5G及集成電路產業高質量發展，增強產業整體競爭力。在資金支持上，提供財政補貼、入股投資、引入社會資本、減稅免稅；在人才培7、育上，引進專業人才，培養學科專業集群；在產業鏈完善上，建設公共服務平臺、支持流片，支持重大項目優先布局，支持海外并購；在技術攻關上，支持創興研發、支持聯合項目開發與應用。中國射頻濾波器部分相關政策見右圖所示：中國射頻濾波器部分相關政策見右圖所示：晶體質量決定電子器件的性能，在新材料研發及應用領域，學術界和工業界都聚焦在提高晶體質量上！02 晶格常數的變異不同摻雜濃度可導致不同摻雜濃度可導致晶格常晶格常數的變異，數的變異，影響晶體質量影響晶體質量04 相分離溫度控制和分布不理想，可能導致溫度控制和分布不理想，可能導致部分區域出現部分區域出現AlN,ScNAlN,ScN相分離相分離01 元素比例 8、要實現高壓電系數，要實現高壓電系數，晶體需處于纖晶體需處于纖鋅礦鋅礦(AlN)(AlN)和立方型和立方型(ScN)(ScN)之間的介之間的介穩態穩態，這需要，這需要精準控制精準控制AlAl和和ScSc的元的元素比例素比例03 晶粒扭曲異質外延生長的普遍缺陷，異質外延生長的普遍缺陷，摻雜摻雜鈧結構更復雜，控制難度更大鈧結構更復雜，控制難度更大4.4.項目創新性：項目創新性：元素比例精準控制與晶相穩定性控制元素比例精準控制與晶相穩定性控制鈧摻雜相關技術被美國企業所壟斷其鈧摻雜相關技術被美國企業所壟斷其難點在于薄膜生長過程中容易出現從纖鋅礦結構到立方晶系鹽石結構的相難點在于薄膜生長過程中容易出現從纖9、鋅礦結構到立方晶系鹽石結構的相變，變，薄膜晶相的穩定性難以控制薄膜晶相的穩定性難以控制 金屬有機物化學氣相沉金屬有機物化學氣相沉金屬有機物化學氣相沉金屬有機物化學氣相沉積法積法積法積法(MOCVD)(MOCVD)(MOCVD)(MOCVD)示意圖示意圖示意圖示意圖MOCVD反應過程由質量流量控制（由質量流量控制（Mass Flow Mass Flow ControlControl），可有效控制外延層中的有效控制外延層中的Al/ScAl/Sc比比例。例。ScSc前驅體選擇前驅體選擇反應器改造反應器改造精準控溫精準控溫DOEDOE工藝參數優化工藝參數優化精精晶體晶體質量高量高成本相成本相對低，易于10、與器件制造低，易于與器件制造結合合生生長速度速度較快快雜質含量更低含量更低摻雜濃度更可控度更可控MOCVD設備已成熟商用已成熟商用產品多品多樣化：可根據客化：可根據客戶需求，需求，提供基于不同基底的外延提供基于不同基底的外延提供基于不同基底的外延提供基于不同基底的外延產產品品品品，如硅，如硅，藍寶石，氮化稼等寶石，氮化稼等4.4.項目創新性：項目創新性：改造改造MOCVDMOCVD和鈧前驅體優選和鈧前驅體優選產品優勢產品優勢產品優勢產品優勢手機射頻前端濾波器基站濾波器濾波器在基站上的應用是幫助基站濾掉不需要的波段。5G5G周期的全球基周期的全球基站濾波器市場規模將達站濾波器市場規模將達600611、00億美金億美金射頻前端是手機的核心器件，直接影響著手機的信號收發。濾波器是射頻前端器件中增長最快的細分市場。濾波器是射頻器件最重要部分，濾波器是射頻器件最重要部分，約占整個射約占整個射頻前端器件營收的頻前端器件營收的66%66%，如右圖：手機要實現 5G 全球通，需要支持支持 90 90 多個頻段多個頻段。一個頻段通常需要兩個濾波器，這意味著未來一部 5G 手機需要上百個濾波器百個濾波器，年市場年市場規模將從20182018年年的7575億美元億美元迅速上升至20232023年年的225225億美元。億美元。5.5.市場情況：市場情況：市場規模巨大、應用場景精準、關乎國家信息安全市場規模巨大12、應用場景精準、關乎國家信息安全6.6.商業模式與市場：商業模式與市場：為濾波器制造廠商提供氮化鋁鈧外延片為濾波器制造廠商提供氮化鋁鈧外延片手機手機濾波器濾波器基站基站濾波器濾波器客戶客戶下游客戶及市場情況下游客戶及市場情況華為中興 愛立信諾基亞三星我們的產品我們的產品OUR PRODUCTOUR PRODUCT商業模式：商業模式：接受濾波器生產廠商定制，以硅、藍寶石、碳化硅為基底，生產氮化鋁鈧外延產品制成手機濾波器和基站濾波器。國國內內客客戶無錫好達電子 麥捷科技中芯寧波華為入股中芯國際國家集成電路產業基金國國外外客客戶大富科技東山精密春興精工武漢凡谷SAW:TDK-EPCOS Murata13、 太陽誘電BAW:博通 Qorvo全球82%市場份額全球87%市場份額國國內內客客戶國國外外客客戶CTSPARTRONSawnicsMuRata當鈧含量超過30%時，摻鈧氮化鋁薄膜中會出現鐵電開關行為，證實了氮化鋁鈧在鐵電開關器件及設備氮化鋁鈧在鐵電開關器件及設備中應用的巨大潛力。鐵電存儲具有非易失、低功耗、多讀寫次數、高存取速度、高密度、抗輻射等特性；鐵電存儲具有非易失、低功耗、多讀寫次數、高存取速度、高密度、抗輻射等特性；基于鐵電晶體管為存儲單元的鐵電存儲器，還具有結構簡單、非破壞性獨出、遵循集成電路比例縮小原則結構簡單、非破壞性獨出、遵循集成電路比例縮小原則的優點。鐵電存儲是優勢明顯、代14、表趨勢的下一代存儲優勢明顯、代表趨勢的下一代存儲，應用廣泛、前景極為廣闊應用廣泛、前景極為廣闊030201 鐵電存儲可以讓設計者更快、更頻繁地將數據寫入非易失性存儲器 典型應用：典型應用：儀表儀表 (電表、氣表、水表、電表、氣表、水表、流量表流量表)、RF/IDRF/ID、儀器、汽車黑匣子、儀器、汽車黑匣子、安全氣袋、安全氣袋、GPSGPS系統、系統、電力電網監控系統電力電網監控系統04 鐵電存儲通過實時存儲數據幫助系統設計者解決了突然斷電數據丟失的問題 典型應用：典型應用：影印機、影印機、打印機、工業控制、機打印機、工業控制、機頂盒頂盒 (Set-Top-Box)(Set-Top-Box)、15、網絡設備（網絡調制解網絡設備（網絡調制解調器）和大型家用電器調器）和大型家用電器 鐵電存儲在數據傳遞儲存在其它存儲器之前快速存儲數據，信息從一個子系統非實時地傳送到另一個子系統去 典型應用：典型應用：工業系工業系統、銀行統、銀行ATMATM、稅控機、稅控機、商業結算系統商業結算系統 (POS)(POS)、傳真機，未來將應用于傳真機，未來將應用于硬盤非易失性高速緩沖硬盤非易失性高速緩沖存儲器存儲器 鐵電存儲具有抗輻射特性 典型應用：典型應用：在航空在航空航天廣泛應用航天廣泛應用7.7.可拓展（未來）應用場景：可拓展（未來）應用場景：鐵電存儲器鐵電存儲器8.8.團隊介紹：團隊介紹：創始人創始人XX16、XX博士博士l美國堪薩斯州立大學化學工程博士、明尼蘇達大學化學工程與材料系博士后l十余年金屬氮化物合成表征經驗，具備材料合成、設備搭建與控制、流體力材料合成、設備搭建與控制、流體力學控制、器件制備學控制、器件制備等全面的綜合研發及應用能力全面的綜合研發及應用能力010203工業化氮化鋁多晶、體晶、外延工業化氮化鋁多晶、體晶、外延的反應器設計，工藝條件，晶體表征，質量控制的反應器設計，工藝條件，晶體表征，質量控制鹵素氣相沉積（鹵素氣相沉積（HVPEHVPE）反應器設計（類）反應器設計（類MOCVDMOCVD）、安裝、工藝優化、安裝、工藝優化寬禁帶半導體的生長、切割、研磨、拋光的生長、切割、研磨、17、拋光整套工藝流程和技術發表十余篇，包括JournalJournal ofof AppliedApplied PhysicsPhysics等重要相關美國專利重要相關美國專利（Off-Axis Silicon Carbide Substrates,US 20110220915 A1）獲堪薩斯州立大學研究基金會創新獎8.8.團隊介紹：聯合創始人團隊介紹：聯合創始人劉軍博士劉軍博士 010203l北京航空航天大學電子信息工程學院教授北京航空航天大學電子信息工程學院教授/博導博導，深圳鵬城實驗室雙聘教授，吉林大學“長白山學者”特聘教授。依托國家級科研機構、頂頂級專家學者資源及科技創新能力級專家學者資源及18、科技創新能力，為本項目提供智力和平臺支撐。l美國康涅狄格大學博士,武漢大學計算機學士。l主要研究方向為嵌入式傳感器系統，聲學傳感器研制，定位導航系統研究方向為嵌入式傳感器系統，聲學傳感器研制，定位導航系統研發等研發等方向。主持參與多項國家級科研項目，包括科技部、自然基金委、軍科委等主要課題，發表多篇頂級論文。04l曾先后就職于阿爾卡特-朗訊-貝爾實驗室，北電網絡等世界500強企業，從事無線接入網、移動終端系統的研究開發，并擔任過軟件工程師，系統工程師，項目經理等職位，積累了豐富的工程經驗和項目、團隊管理經驗。8.8.團隊介紹：聯合創始人、團隊介紹：聯合創始人、CEOCEO董春宇董春宇 010219、03l中國人民大學經濟學碩士、美國哈特福德大學商學院會計與稅碩士中國人民大學經濟學碩士、美國哈特福德大學商學院會計與稅碩士l上市公司高管、上市公司高管、5G&5G&物聯網基金創始合伙人物聯網基金創始合伙人，掌握政府、運營商、產業、資本等核心資源l豐富的企業管理實踐及咨詢經驗，尤其擅長市場和銷售市場和銷售04l熟悉中、美、港等多地資本市場中、美、港等多地資本市場規則05l十余年中、美、港投資管理相關工作經驗,成功參與投資的明星項目包括但不限于：l步長制藥、喜馬拉雅APP、中信建投、心醫國際等01010202030304045 506060707已完成產品開發的詳細設計，包括廠房設計方案廠房設計方20、案MOCVDMOCVD改造方案改造方案工藝參數設定（溫度，流量，工藝參數設定（溫度，流量，配比）配比）產品表征與質量控制方案產品表征與質量控制方案系統安全保障措施系統安全保障措施專利部署：申請國內發明專利專利部署：申請國內發明專利9.9.技術壁壘：技術壁壘：詳盡可行的開發方案詳盡可行的開發方案10.10.融資計劃：融資計劃：主要用于建立主要用于建立MOCVDMOCVD外延生產工廠外延生產工廠l融資計劃：融資計劃：估值：估值：投后估值2億元，出讓10-15%股權融資額度：融資額度：2000萬意向投資機構：意向投資機構：北京興路投資管理有限公司等l人才獎勵及補貼：人才獎勵及補貼：擬申請政府各項人才21、獎勵、廠房優惠、設備支持等1000萬元l投資計劃：投資計劃：3000萬元，其中硬件硬件12001200萬元、廠房萬元、廠房500500萬元、研發萬元、研發700700萬元、運營管理萬元、運營管理200200萬元、市場萬元、市場400400萬元萬元與投資機構簽訂的投資意向書與投資機構簽訂的投資意向書10.10.融資計劃：融資計劃：硬件需求及預算硬件需求及預算11.11.項目計劃：長三角地區項目計劃：長三角地區政策優勢人力資源優勢產業集群優勢地理位置優勢 地理位置優勢地理位置優勢地理位置優勢地理位置優勢：研發、生產測試交通便捷生活舒適 產業集群優勢產業集群優勢產業集群優勢產業集群優勢：芯片制造業集22、中材料制造產業集中 人力資源優勢人力資源優勢人力資源優勢人力資源優勢：高校、研究機構院士工作站、博士后工作站 政策優勢政策優勢政策優勢政策優勢：優厚的高層次人才引進政策高學歷人才安頓政策企業發展有利優惠政策資金優勢 資金優勢資金優勢資金優勢資金優勢：政府人才獎勵、補貼等政府產業基金支持產業及財務投資人建議項目已獲得機構投資人資金及場地（含產線）支持意向項目已獲得機構投資人資金及場地（含產線）支持意向TSTS項目已被列入項目已被列入985985高校前沿技術研究院研發計劃（高校前沿技術研究院研發計劃（20002000萬）萬）11.11.一期目標：一期目標：建立建立MOCVDMOCVD外延生產工廠外23、延生產工廠 建設萬級/千級潔凈實驗室共計2000平方，并配備相關的機電、特氣、純水等基礎設施。基礎建設完成后，平臺將成為具備世界一流水平的先進半導體薄膜材料研發生產基地，具備先進半導體材料生長和制造工藝的研發和量產能力。外延區輔助氣房備件間成品間表征間成為成為AlScNAlScN外延材料外延材料及器件及器件的國際一流供應商的國際一流供應商發展規劃發展規劃PLANPLAN2022.10人員資金到位2023.02MOCVD生產線組建2023.05外延片量產2023.08SAW濾波器樣品2023.12HEMT樣品高電子通量二極管2024.04外延生產線產能擴大 預計至預計至預計至預計至202420224、420242024年年年年11111111月月月月 (18(18(18(18個月）個月）個月）個月）實現實現實現實現AlScNAlScNAlScNAlScN外延片量產外延片量產外延片量產外延片量產 實現實現實現實現AlScN-GaNAlScN-GaNAlScN-GaNAlScN-GaN SAWSAWSAWSAW樣品樣品樣品樣品 實現實現實現實現AlScN-GaNAlScN-GaNAlScN-GaNAlScN-GaN HEMTHEMTHEMTHEMT樣品樣品樣品樣品 完成相關產品的專利布局完成相關產品的專利布局完成相關產品的專利布局完成相關產品的專利布局 尋求戰略合作伙伴，尋找新尋求戰略合作伙伴25、，尋找新尋求戰略合作伙伴，尋找新尋求戰略合作伙伴，尋找新的市場應用的市場應用的市場應用的市場應用2024.0411.11.項目落地計劃：項目落地計劃：一期產品規劃一期產品規劃12.12.經濟效益估算：經濟效益估算：一期年產值一期年產值2250950022509500萬萬/每條生產線每條生產線01市場容市場容量量僅僅僅僅以以以以手機濾波器手機濾波器手機濾波器手機濾波器產品為例產品為例產品為例產品為例，不含基站濾波器及鐵電器件，不含基站濾波器及鐵電器件，不含基站濾波器及鐵電器件，不含基站濾波器及鐵電器件1臺標準化MOCVD：8片（d=6in/150mm）/次、手機濾波器尺寸1.1mm*0.9mm、26、run time=1h/次*（8-16）次/天、成品率按64%計算，則每條產線產能為750,000-1,500,000片（個濾波器材料），如按300天/年運行計算，年產能為2.25-4.5億片02產能產能03產值產值如出廠價按0.1-0.2元/片計算，每條產線產值為每條產線產值為22502250萬元萬元-9000-9000萬元萬元/年年利潤率按30%、稅收按利潤的15%估算，每條產線利稅為每條產線利稅為100-400100-400萬元萬元/年年20202020年全球智能手機出貨量為年全球智能手機出貨量為12.612.6億臺億臺，如2021年以后仍保持不變，按每部手機包含100個濾波器計算，則僅27、手機濾波器市場容量為1260億個/年04利稅預利稅預測測感感謝聆聽聆聽創新新驅動材料材料強國國一代材料一代材料 一代技術一代技術 一代裝備一代裝備材料材料!不落美、德、日等科技大國之后，聚焦關鍵基礎材料的市場化應用，打破關鍵材料的國際技術封鎖和壟斷，打破關鍵材料的國際技術封鎖和壟斷，加快實現國產新材料產品替代進口加快實現國產新材料產品替代進口、填補空白，進而穩定供應器件器件!通過改善壓電材料的改善壓電材料的質量，提高材料性能及相關質量，提高材料性能及相關電子器件效率電子器件效率，使國產器件不再被國際技術“卡脖子”產業鏈產業鏈！為實現國家戰略新興產業鏈協同突破產業鏈協同突破做出貢獻！僅限2022 HICOOL 創業大賽使用，禁止傳播通過材料創新，填補國內技術空白，5G射頻芯片不再被“卡脖子”