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1、XX半導體技術（深圳）有限公司Pengcheng Semiconductor Technology(Shenzhen)Co.,Ltd.高端半導體外延設備的國產化XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造市場現狀Part-01market situation0101Part-01市場現狀XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造1.依賴進口半導體領域制備工藝及裝備嚴重依賴進口。2.自主可控的國產產品面臨國外進口受限的形勢下，自主可控的國產產品，將被廣泛支持和被廣泛使用，有極大的市場缺口和價值缺口。3.市場就在千億元以上僅光電半導體和裝備2、市場就在千億元以上。市場痛點市場痛點XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造現有市場解決方案對比現有市場解決方案對比01國有市場半導體領域制備工藝及裝備主要依賴進口02國產化競爭者北方華創沈陽科儀競爭者優勢：成立較早、市場知名度高本項目優勢：經驗更豐富、多年積累形成了技術優勢。XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造核心設備面臨“卡脖子”窘境核心設備面臨“卡脖子”窘境科技部35項卡脖子技術1、光刻機13、核心工業軟件25、微球 2、芯片14、ITO靶材26、水下連接器3、操作系統15、核心算法27、燃料電池關鍵材料4、航空發動機短3、艙16、航空鋼材28、高端焊接電源5、觸覺傳感器17、銑刀29、鋰電池隔膜6、真空蒸鍍機18、高端軸承鋼30、醫學形象設備元器件7、手機射頻器件19、高壓柱塞泵31、超精密拋光工藝8、iCLIP技術20、航空設計軟件32、環氧樹脂9、重型燃氣輪機21、光刻膠33、高強度不銹鋼10、激光雷達22、高壓共軌系統34、數據庫管理系統11、適航標準23、透射式電鏡35、掃描電鏡12、高端電容電阻24、掘進機主軸承XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造XX半導體技術（深圳）有限公司化合物半導體薄膜外延材料及設備 GaAS、GaN鍍膜生產設備同時擴展至MOCVD、MBE，4、PVD等設備及零配件研發 薛玉溪、趙維巍、吳向方控股國產化可行性分析國產化可行性分析依托各方現有基礎的國產化發展路線規劃XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造項目介紹項目介紹0202Part-02Part-02Project IntroductionXX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造核心團隊核心團隊XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造科研成果現在基礎情況科研成果現在基礎情況2018201720162005香港城市大學香港城市大學OLED中試生產設備制備項目中科院電工所中科院電工所磁控濺射5、與PECVD聯合系統制備項目浙江大學浙江大學分子束外延系統MBE制備項目中科院金屬所金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產設備XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造201720162005武漢理工大學武漢理工大學電子束蒸發儀制備項目國家光電實驗室全自動磁控濺射設備南昌大學南昌大學MOCVD及合金退火爐制備項目科研成果現在基礎情況科研成果現在基礎情況XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造研究基礎及成果樣機研究基礎及成果樣機分子束外延（MBE）設備磁控濺射與PECVD技術聯合系統金剛石薄膜制備設備使用單位 浙江大6、學光學儀器國家重點實驗室使用單位 中科院電工所使用單位 中科院金屬研究所XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造本團體現有基礎情況本團體現有基礎情況 完全自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數）、射頻源等關鍵部件。真空度達到210-8Pa。設備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用，至今仍在正常使用。分子束外延（MBE）設備及設計圖XX半導體技術（深圳）有限公司半7、導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造本團體現有基礎情況本團體現有基礎情況 自主設計研制直線型電子槍(effusion cell)，可實現Si、C等難熔材料的蒸發，可用于制備SiC等半導體外延材料。自主研制直線型電子槍：針對SiC的MBE生長，Si、C的熔點和飽和蒸汽壓都比較高，無法使用通常的熱蒸發爐，唯一的解決辦法是電子束蒸發器。自主研制直線型電子槍XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造本團體現有基礎情況本團體現有基礎情況 自主設計研制反射高能電子衍射(RHEED)裝置，集成在MBE設備上，對薄膜外延生長進行原位實時監控。XX半導體技術（深圳）有限公司半導8、體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造本團體現有基礎情況本團體現有基礎情況磁控濺射與磁控濺射與PECVDPECVD技術聯合系統技術聯合系統 設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術聯合系統，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所王文靜研究員團隊。XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造本團體現有基礎情況本團體現有基礎情況 設計制造了脈沖等離子體濺射設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產設備。現使用單位中科院金屬研究所姜辛團隊。XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造本團體現有基礎情況本團體現有9、基礎情況 設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。現使用單位國家光電實驗室繆向水教授團隊。設計制造了OLED有機半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備。現使用單位香港城市大學先進材料實驗室李述湯團隊。設計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現LED無機半導體發光材料與器件的研究和中試。現使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心江風益教授團隊。設計制造了磁控濺射研究型設備。現使用單位浙江大學半導體所楊德仁團隊。設計制造了電子束蒸發儀研究型設備。現使用單位武漢理工大學呂海飛教授團10、隊。XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造已具備成套設備設計條件已具備成套設備設計條件物理氣相沉積（PVD）系列磁控濺射、電子束、熱蒸發鍍膜機、激光沉積設備PLD化學氣相沉積（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設備ALD超高真空系列分子束外延系統（MBE）、激光分子束外延系統（LMBE）成套設備團簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設備（G1/G2/G3）04030201其他金剛石薄膜制備設備、合金退火爐、硬質涂層設備、磁性薄膜設備、電極制備設備真空鍍膜機專用電源系列直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精11、度熱蒸發電源、高能脈沖電源（中頻可調脈寬）0605XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造0102020303本項目組研發的 MBE-STM 真空互聯系統，集成 RHEEDa本項目組研發的高 真空脈沖等離子濺射 PSD 設備b南科大、清華大學、南京大學、國成儀器合作伙伴哈工大研究基礎哈工大研究基礎自主設計研發科研型真空外延設備abXX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造國內第二個實現量子反常霍爾效應的團隊國內第二個實現量子反常霍爾效應的團隊451455XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造產業化計12、劃產業化計劃0303Part-03Part-03Industrialization planXX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造產業化計劃產業化計劃2021202220232025實現4英寸半導體外延裝備樣機；實現4英寸半導體外延裝備及配件的銷售，開始研發6英寸和8英寸半導體外延裝備樣機；實現6英寸和8英寸半導體外延裝備及配件的銷售，開始研發6英寸和8英寸半導體外延材料制備；實現6英寸和8英寸半導體外延材料批量化生產;XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造產業化計劃產業化計劃人才300W廠房200W市場推廣100W實驗設備100W+=+現金流300WTOTAL：1000W半導體外延工藝工程師半導體外延裝備工程師123工藝研發工程師XX半導體技術（深圳）有限公司半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造產業化計劃產業化計劃廠房2000平米示意圖員工準備20m2風淋區20m2襯底處理車間300m2半導體薄膜外延生長車間700m2外延片質量檢測車間400m2設備安裝調試車間400m2入口過 道Thank You2001,Building 2,Chongwen Park,Nanshan Zhiyuan,Nanshan District,Shenzhen