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1、C公司公司投資建議書 舉國之力打造的國之重器中國唯一在半導體先進制造領域趕超西方的企業中國半導體領域極為稀缺的市值可破萬億的公司公司公司 概況概況融融資資 概況概況退出退出 安排安排n C科技控股有限責任公司（以下簡稱“C公司”），是國家存儲器基地項目的承擔主體，成立于2016年12月，注冊資本1,052.7億元，是在國家 大力發展集成電路產業的背景下，湖北省地方政府、國家集成電路產業投資基金參與設立的一家專注于三維閃存設計制造一體化解決方案的 IDM 集成電路企業，為全球合作伙伴提供三維閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片，以及消費級、企業級固態硬盤等產品和系統解決方案。n 行行業業地位：地位：舉2、舉國之力打造的國之重器，國之力打造的國之重器，中國最大的閃存芯片制造企業，稀缺性超過中芯國際！全球首家實現3D NAND 232層存儲芯片的存儲廠 商，中國唯一在半導體先進制造領域趕超西方的企業，未來市值有望破萬億！n 歷歷史融史融資資：公司設立之后，歷史上有2輪增資，均由湖北地方國資和國家大基金出資。注冊資本1052.7億元，其中國家大基金一期、二期合計出 資超260億元，湖北地方國資出資超800億元。n 本本輪輪融融資資：本輪為公司首次對外融資。估值1516億元，融資150-200億元，中國人民保中國人民保險險集集團團（人保（人保資資本）本）領領投投3030億億元，五大元，五大銀銀行合行合3、計計投投資資80-80-9090億億元元。n 上市可行性：上市可行性：2020年/2021年/2022年分別實現營業收入約：45億元/143億元/211億元，其當前財務指標已完全滿足科創板上市標準。n 資資本本規規劃：劃：公司計劃將于2025年上半年完成股改，2025年下半年完成科創板IPO申報，中信中信證證券、中金公司券、中金公司聯聯合保薦合保薦。n 退出安排：退出安排：預計公司將于20262026年完成上市，年完成上市，20272027年基金將年基金將實現實現退出退出，公司是國內極少數有望在上市后超過萬億市值的半導體公司。行行業業 概況概況n 伴隨著云計算、大數據、物聯網、人工智能等技術的4、快速發展，數據量呈現幾何倍數增長。2026年NAND閃存芯片的銷售額將超過1100億美元。n 存力是數據存力是數據時時代的關代的關鍵鍵基基礎設礎設施，體施，體現現國家國家實實力，關乎國家安全。力，關乎國家安全。n 2022 年全球閃存芯片市場，韓國三星、SK 海力士、日本鎧俠、美國西部數據、美光前五家企業占據了全球95%的市場份額。國產替代需求迫切！存存是數據是數據時時代的關代的關鍵鍵基基礎設礎設施，數據量的爆施，數據量的爆發發式增式增帶帶來來對對存存儲儲器的巨器的巨的市的市場場需求需求n伴隨著云計算、大數據、物聯網等技術的快速發展和傳統產業的數字化轉型，數據量呈現幾何倍數增長。nNAND閃存5、是行業內最主流的數據存儲技術方案，2021-2026年NAND 閃存需求量的年均增長率超過30%，2026年NAND閃存芯片的銷售額將超過1100億美元。數據安全關乎國家安全，全球數據安全關乎國家安全，全球NAND閃閃存市存市場場被國外巨被國外巨頭壟頭壟斷，國斷，國產產替代需求迫切替代需求迫切n近年來，硬盤固件后門、存儲設備攻擊、存儲信息泄露等信息存儲安全事件頻出。信息存儲安全一旦受到威脅，會導致當前和過往的信息均被泄露，造成嚴重 危害。存儲產業的穩定發展關乎我國數據信息存儲的安全與穩定。n2022 年全球閃存芯片市場，韓國三星、SK 海力士、日本鎧俠、美國西部數據、美光前五家企業占據了全球96、5%的市場份額。n2022 年我國NAND 閃存芯片市場規模約為2400 億元，但是國內產值規模僅有1000億元，并且外資工廠貢獻了絕大多數產值。C公司是公司是舉舉國之國之打造的國之重器，是我國唯打造的國之重器，是我國唯的的NAND閃閃存芯存芯制造企制造企業業，IPO確定性極確定性極n國家大基金和地方財力累計出資超千億元，歷時10年打造的唯一標的。n承擔著我國數據存儲安全、數字經濟發展的重任，上市確定性極高。中國唯中國唯在半在半導導體先體先進進制造制造領領域趕超域趕超的企的企業業，開始成，開始成為為全球市全球市場場的破局者的破局者nC公司在行業主流產品128層存儲顆粒的核心技術指標領先國外巨頭7、，并且232層在全球率先實現量產，技術領先全球。n2022年C公司在全球NAND Flash市場占據4.8%的市場份額，位居全球第六。業績業績爆爆發發式增式增，上市市，上市市值值可超萬可超萬億億！n20-22年收入分別為44.7億元，143.2億元，210.8億元。n預計到2026年，將實現超千億的銷售收入，預計退出市值可超萬億。世界世界級級的的團隊團隊n掌舵人為中國半導體行業領軍人物，多個專項組的牽頭人，超40年的集成電路經驗；負責人擁有超30年國內外知名半導體公司研發運營經驗，公司擁有體系完 整的本土化IDM團隊。n公司共有研發人員超7000人，其中碩士以上超過4000人，專利超8000項8、。CONTENTS行業趨勢分析公司價值分析010203投資收益分析PART12018年以來美國對我國半導體產業鏈限制層層加碼，從最開始的芯片端（華為不能買芯片），到制造端（華為不能找代工、中芯國際先進制程發展受阻），到 現在設備、EDA 軟件等上游（代工廠、存儲廠買不到最先進設備，先進 EDA 軟件受限）以及人才的限制（阻止美國人協助發展國內半導體先進制程），沿產 業鏈條逐步向上。n 二十大報告五次提到“科技自立自強”，三次提到需要提升供應鏈 韌性和安全，強調加強基礎研究和原創，以繼續推動中國經濟發展 和維護國家安全。n 半導體產業鏈的可靠與安全是我國產業平臺建設的關鍵。集成電路 被應用于各行9、各業，如果發生集成電路供應短缺，必將對相關產業 鏈帶來劇烈的沖擊，通過傳導效應影響國家整體經濟安全。打造自 主可控、安全可靠的半導體產業鏈的需求迫在眉睫。世界世界進進數據數據時時代，數據成代，數據成為為關關鍵鍵產產要素要素n 20222022年每年每8 8小小時產時產生的數據量等于生的數據量等于20062006年一年年一年產產 生的數據量；生的數據量；n 全世界全世界90%90%的數據是在的數據是在過過去兩年中去兩年中創創造的造的;n 根據IDC最新發布的統計數據，全球數據總量預 計2022年達到80ZB，5年年均復合增長率高達 29.9%，中國的數據產生量約占全球數據產生量 的23%；到2010、25年，全球數據量將達到175ZB，5 5年年均復合增年年均復合增長長率率27.0%27.0%。數據來源：Knometa Research，SIA，IDC，IBM marketing cloud,數據存力，高質量發展的數字基石研究報告數據存數據存成成為為新新時時代關代關鍵鍵基基礎設礎設施施CAGR 27.0%通信技術自動駕駛網絡安全人工智能物聯網云服務數據存力可以通過出售數據存儲服 務或幫助建設運營數字基礎設施帶 來1:5的直接影響。通過數字基礎設施購置方進行數字經濟相關活動帶來1:8的間接影響。采納大數據應用對于產業鏈上下游、社會和其他潛在受益者帶來1:40的 衍生影響。n 我國數據資源富集11、，2022年數據產量達8.1ZB，位居全球第二位位居全球第二位。n 數據時代，需要新型基礎設施，尤其需要數據基礎設施，數據存力 就是基礎設施的重要體現；n 數據中心的數據存力容量和GDP呈現高度正相關性；n 數據存力體現國家實力。2023年年1025，國家數據局正式掛牌。，國家數據局正式掛牌。法保法保證證數據安全數據安全數據是數字經濟發展的關鍵生產要素，是國家基礎性戰略性資源。國家安全部：國家安全部：數據安全已成為關乎國家安全和公共利益，是非傳統安全的重要方面，是事關國家安全與經濟社會發展的重大問題。數據安全數據安全問題頻發問題頻發n存儲芯片作為電子信息產業不可或缺的組成部分，素有電子產品的 12、“糧食”之稱，在集成電路產業中占據很高的比重。根據Gartner測算，2022年全球集成電路市場總收入約為5996億美元。其中，存儲器 是僅次于應用定制芯片的第二大分支，市場規模達到1500億美元，占 總銷售額的25.9%。39.9%25.9%16.9%6.8%6.9%3.6%應用定制芯片 存儲器微處理器/微控制器 光電芯片 模擬芯片 通用邏輯2022年全球集成年全球集成電電路路產產品收品收占占55.0%40.4%4.6%DRAMNAND Flash其他n存儲器中，占比最高的兩個細分產品分別是DRAM（隨機動態存儲器）和NAND 閃存芯片。nDRAM屬于易失性存儲的一種，具備集成度高、低功耗、13、低成本、體積小等顯著優勢，通常用于智能手機及服務器內存。nNAND 閃存是目前全球市場大容量非易失存儲的主流技術方案。其中 NAND 被廣泛用于SSD、eMMC/EMCP、U 盤等高端大容量產品。n2022 年DRAM市場份額約787 億美元，約占存儲器市場的55%；NAND NAND 閃閃存存芯芯片片市市場場約約579 579 億億美美元元（40534053億億人人民民幣幣），約約占占存存儲儲器器市市 場場的的40.4%40.4%。2022年全球存年全球存儲儲器市器市場規場規模占模占存存儲儲器是全球第器是全球第集成集成電電路路產產品品NAND閃閃存是全球存是全球容量容量易失存易失存儲儲的主流14、技的主流技術術案案數據來源：賽迪智庫，Gartnern存儲產業鏈包括存儲顆粒制造環節（晶圓廠+設計公司）、存儲應用環節（模組廠+主控芯片）及封測廠。n 半導體存儲器由于布圖設計與晶圓制造的技術結合更為緊密且標準化程度高，主要以IDM 模式為主。在應用環節，存儲原廠完成晶圓制造后，仍需開發大量應 用技術以實現從標準化存儲晶圓到具體存儲產品的轉化，包括主控芯片、固件開發、封測等環節，最終由存儲原廠或模組廠商以成品形式推向市場。n 在終端產品上，存儲原廠憑借晶圓優勢向下游存儲產品領域滲透，以晶圓的創新設計與制程提升聚焦于具有大宗數據存儲需求的行業和客戶（如智能手機、個 人電腦及服務器行業的頭部客戶）15、。而對于產品差異化較大需客制化的長尾細分行業市場（如工業控制、商用設備、汽車電子、網絡通信設備、家用電器、影 像監控、物聯網硬件等）以及主流應用市場中小客戶，則由獨立的存儲模組廠商進行開拓。數據來源：CFM閃存市場，國信證券工業,2.6%消費,6.1%無線通信,34.1%計算,54.8%有線通訊,1.1%汽車,1.2%軍工航天,0.1%2020年NAND Flash各行業銷售額占比存儲產業鏈nn盡管2022 年下半年開始，NAND 閃存芯片受產業下行周期疊加經濟不景氣的影響出 現了價格下跌，隨著全球經濟的復蘇，預計2024 年NAND 閃存芯片銷售額將再次提 高，并進入快速增長周期。根據Gar16、tner 預測，2026 2026 年年NAND NAND 閃閃存芯片的存芯片的銷銷售售額額將超將超過過11001100 億億美元。美元。020040060080010001200201920202021202220232024202520262019-2026 年NAND 閃存芯片全球銷售額（億美元）數據來源：Gartner2400400020222026n根據Gartner預測，到2026年全球NAND閃存需求量將超過235萬PB，2021-2026 年NAND閃存需求量的年復合增長率超過30%。63.781.2106.7 144.1 188 2360501001502002502021217、0222023202420252026n我國一直以來都是存儲器產品最大的需求市場，因此，預計我國閃存 芯片需求量年復合增長率超過全球的30%水平。2022 年我國存儲器 市場規模約為5494億元，其中NAND 閃存芯片市場規模約為2400億 元，隨著消費電子市場企穩，預計未來國內閃存芯片價格將企穩回升，市市場規場規模將在模將在20262026 年超年超過過40004000億億元。元。2021-2026 年NAND 閃存全球需求量（萬PB）CAGR 超3 30 0%我國NAND 閃存芯片銷售額（億元）n2022 年我國NAND 閃存芯片市場規模約為2400 億元。與龐大的市場相比，我國的 NAN18、D 閃存芯片產值規模存在較大差距。2022 年我國NAND 閃存芯片產值規模約為 1000億元，主要為三星西安工廠與SK 海力士收購的英特爾大連工廠產值，而長江存 儲作為唯一的內資企業占比約為13.4%。n在產能方面，截止2022 年12 月，國內12 英寸閃存晶圓的月產能合計為46.8 萬片/月，其中三星西安工廠和SK 海力士大連工廠占總產能的79%，長江存儲約占21%。n國際競爭格局上，存儲器市場長期被美日韓高度壟斷。n Gartner 報告顯示，2022 年韓國三星、SK 海力士、日本鎧俠、美國西 部數據、美光前五家企業占據了95%的閃存芯片市場份額。其中三星、SK 海力士、鎧俠、西部數19、據（共享鎧俠的晶圓廠產能）、美光產能分 別占全球總產能的32.7%、18.6%、32.0%、10.1%，。注：SK 海力士的營收和產能數據包括收購的英特爾閃存業務 數據來源：Gartner36.4%17.2%19.3%14.5%11.9%三星 西部數據SK海力士 美光鎧俠 其他34.6%18.0%16.9%12.8%4.8%11.3%1.6%西部數據三星 美光SK海力士鎧俠C公司其他2018Q2 全球市場NAND競爭格局0.7%2022 全球市場NAND競爭格局13.4%86.6%21%79%2022 中國市場NAND產值競爭格局2022 中國市場NAND產能格局數據來源：海力士，CFM閃存市20、場，Yolen提高存儲單元的可存儲數位（bit）量和提升3D NAND Flash 的堆疊層數是存儲密度 提升的主要方式。n 在2D 形式下，單位存儲單元密度提升會帶來擦寫次數減少、可靠性降低和單元間干 涉現象嚴重等問題，3D NAND 技術應運而生。n 3D NAND 讀寫速度、功耗、成本、耐久性、數據傳輸速度及容量等均展現出卓越的 優勢。3D NAND 為閃存市場主流產品，22 年應用占比超80%，隨存儲密度要求提 升層數增加。n 目前，三星、美光、SK 海力士、C公司等均超過了200 層。根據Yole數據，128 層 NAND 仍為主要工藝，232 層NAND 將隨數據中心等需求增加加速21、滲透。提升存提升存儲儲密度的技密度的技術術演演進進C公司在全球率先公司在全球率先實現實現了了232層層堆疊堆疊3D NAND層層數快速增數快速增數據來源：BloombergnNAND閃存顆粒價格長期遵循摩爾定律逐步下降，而短期則給予供求關系呈現周期性波動，通常波波動動周期周期為為3-43-4年一個循年一個循環環。n2022年上半年，整個消費電子市場持續萎靡，加之各大終端廠商的高庫存，市場供過于求。相比相比20212021年末，年末，20222022年末年末NANDNAND閃閃存價格下跌存價格下跌35%35%。n2023年第一季度，存儲器市場受全球各主要經濟體消費電子疲軟影響，平均售價平均售價繼22、續繼續下下降降10%-15%10%-15%。n2023年三星、SK海力士、美光等國際存儲龍頭企業已開始采取減產等控制手段。但由于 下游模組廠仍有相當存貨，市場價格仍在低位震蕩。業界普遍預計維閃存供需關系將在 2023Q4/2024年Q1開始逆轉，出現供不應求的趨勢，閃存顆粒價格將開始回升，屆時國 內NAND閃存市場將進入景氣周期，總體市場規模將快速增長。存儲芯片周期波動略強于半導體全行業三星、美光、海力士受周期影響收入下滑明顯市場將在23Q4/24Q1觸底反彈PART22017年年第一代32層產品 研發成功2016年年企業成立第一代32層測試芯片通過功能性測試2018年年Xtacking技技術23、發術發布布第一代第一代32層產層產品量品量產產第二代64層設計完成 并實現首次流片2019年年第二代64層產層產品量品量產產第三代128層設計完成 并實現首次流片2020年年并購封測企業51%股權第三代128層產層產品量品量產產2021年年 第四代產品設計 完成，功能測試 通過2022年年第四代量第四代量產產中國大陸唯一唯一與世界先進水平沒有代差的半導體制造企業，專注3D NAND閃存及存儲器解決方案國家大基金二期27.28%C科技有限責任公司C公司X公司C公司二期湖北XX國器科技湖北國芯產業基金長江產業投資集團C資本湖北省科技投資湖北XX發展國家大基金100%100%50.94%39.47%24、19.74%100%100%100%100%28.56%12.88%12.24%100%100%100%100%100%9.96%6.35%2.72%100%C科 技 深 圳分 公 司C科 技 上 海分 公 司C創 芯 上 海C創 芯 北 京C科 技 服 務C香 港Yangtze MemoryJ Y M株式會 社宏 茂 微 電 子 上 海X公 司 香 港C產 業 創 新中 心X公 司 深 圳分 公 司X公 司 上 海分 公 司C基 金 管 理有 限 公 司C公司從事集成電路領域工作近近4040年年曾任華潤華潤微微電子有限公司常常務務副董事副董事長長，并并帶領華潤帶領華潤微微電電子扭子扭虧虧為為25、盈，成功盈，成功IPOIPO國家集成國家集成電電路大基金咨路大基金咨詢詢委委委委員員 中國集成電路創新聯盟咨詢委委員 中國半導體行業協會副理事長中國集成電路產業創新聯盟副理事長0101國家重大科技國家重大科技專項專專項專家家XX博士 董事長、CEO3030余年余年半導體行業經驗曾任英特爾邏輯邏輯技技術資術資深深總監總監 特許半導體高高級級運運營營副副總總裁裁中芯國際首席首席營營運運長長3030余年余年半導體行業經驗曾任中芯國際八廠廠長2020余年余年半導體行業經驗國家某02重大專項首席科學家首席科學家1515余年余年半導體行業經驗1515余年余年半導體行業經驗公司共有研發人員超超700070026、0人人，其中碩士以上超超過過40004000人人，是存儲器芯片領域國際一流的人才團隊 研發團隊由國家02重大專項首席科學家領銜，博士占比博士占比11.2%11.2%，管理人員平均擁有2020年年的行業科研經驗 工程技術團隊由近2020年年行業經驗的高級副總裁帶隊，打磨出一只自信、有擔當、有戰斗力、能大勝仗的 本土化團隊。62%11%25%碩士博士本科其他學歷公司研發團隊學歷構成2%更靈活更靈活提升研發效率并縮短生產周期；產品開發時間縮縮 短短3 3個月個月，生產周期可縮縮短短20%20%。成本更低成本更低 每次技術迭代單位存儲密度成本降低降低約約 25%25%，明顯高于高于業業界界的的18%127、8%。更快擁有更快的I/O傳輸速度；只需一 個處理步驟即可通過數十數十億億根根垂直 互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合更高更高 芯片面積可減少可減少約約2525%。比傳統 3D NAND更高的存儲密度，架構不斷架構不斷更更新新2019年XtackingXtacking 2.02.0進一步提升閃存吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能、開啟定制化閃存全新商業模式在兩片晶圓上完成獨立的制造工藝通過金屬互聯通道VIAs進行兩片晶圓的鍵合2018年XtackingXtacking 1.01.0FMS閃存峰會最具創新初創閃存企業2022年XtackingXtacking 3.03.02022年最具顛覆性的技術28、之一N NA ANDND存存儲陣儲陣列列晶晶圓圓自主自主創創新架構新架構CMOSCMOS 外外圍電圍電路晶路晶圓圓合并合并為為牢固的整體牢固的整體架構架構創創新點新點43.20%19.50%37.30%100.00%PCIe 4.0固態硬盤個人個人計計算算移動固態硬盤手持手持終終端市端市場場企企業計業計算算PCIe 4.0 NVMe 固態硬盤UFS嵌入式存儲eMMC嵌入式存儲SATA-III 固態硬盤NAND顆顆粒粒系系統統級級 產產品品NAND顆粒NAND產品晶圓NAND顆粒晶晶圓圓ATA III固態硬盤NAND產品晶圓企企業級業級用用戶戶2022年年銷銷售占比售占比消消費級費級用用戶戶NA29、ND從2D結構向3D結構發展并不斷增加堆疊層數，目前全球最高量產水平高達232層，當時市面上可以批量采購的200層以上NAND閃存芯片僅有C公司一家，其他廠商雖然宣布實現量產但并未大量出貨。注：表示廠商目前主流技術數據來源：Trendforce在目前的行業主流產品128層3D NAND中，公司產品在I/O速度和存儲密度均優于國際巨頭。產產品品YMTC 128LXtackingSamsung 128L V-NANDMicron 128L CuA CTFSK Hynix 128L4 D PUC架構XtackingV-NANDCTF CuA4D PUC容量512Gb512Gb512Gb512Gb面積30、mm260.4274.0966.0263.00存儲密度（Gb/mm2）8.486.917.768.13I/O速度（Gb/s）編程時間（TLC）2.4420us1.21.21.2411us650us423/us2016-2021年年2021-2026年年核核競競爭爭驅動驅動市市場場占有率的突破占有率的突破項項管理與管理與項項驅動驅動技技術術基基礎礎 與制造基與制造基礎礎的突破的突破第二第二階階段段第三第三階階段段第一第一階階段段戰戰略略規規劃與劃與戰戰略略驅動驅動 產產品品線線與與產業鏈產業鏈的突破的突破核核競競爭爭驅動驅動 市市場場占有率的突破占有率的突破 從32層到128層3DNAND閃存131、個FAB 1個整建制團隊3個Fab 1條完整的價值鏈 1條多元化的存儲生態鏈 3個成功（研發、產能、市場）1個國內產業安全 1個完整的存儲產品組合PART3n截止2022 年12月31日，公司總產能達到10 萬片/月，公司收入突破200億元，其中母公司收入142.3 億元，其他主體收入68.6 億元。n2022年中國NAND閃存市場2400億元，國內產值1000億元，22年C公司在國內產值占比為13.4%，2023年預計國內產值占比為25%,24年目標實現產值規模 的40-50%。隨著下游對數據處理的需求不斷增長，以及公司二期工廠產能放量，公司未來收入復合增長將達到50%，公司2025年將實現32、盈利。n公司遠期目標為占有國內NAND閃存芯片40%-50%的市場份額。451432111743835748611033-147-265-6178189279-200-40040020001000800600120020-2406202120222023E-292024E2025E2026E2027EC公司收公司收、凈凈利利潤潤情況（情況（億億元）元）收入凈利潤416576801799867104911220200400600800100012002020202120222023E2024E2025E2026E公司公司凈資產凈資產情況（情況（億億元）元）n公司已完全滿滿足科足科創創板板 上市上33、市標標準二、準二、標標準四準四、標標準五準五，預計公司將以 第四套上市標準進行申報。n CC公公司司的的戰戰略略地地位位可可參參 考考中中芯芯國國際際，后后者者曾曾創創 下下了了1616天天光光速速過過會會的的奇奇 跡！跡！，科科創創屬性相關指屬性相關指標標是否符合是否符合公司具體情況公司具體情況最近三年累計研發投入公司20202022年累計發投占最近三年累計營業收入占累計營業收入比例為21%入比例5%，或最近是超過5%；公司20202022年三年累計研發投入金額累計研發投入金額為82.2億元6,000 萬元遠大于6,000 萬元。研發人員占當年員工總 數的比例10%是截至2022年12月3134、日，公司 研發人員占員工總數的比例 超70%，遠超過10%。應用于公司主營業務的 發明專利5 項是截至2023年1月31日，公司應 用于公司主營業務的發明專 利超8000項，遠超5項。最近三年營業收入復合 增長率20%，或最近 一年營業收入金額3 億是公司20202022年營業收入 年均復合增長率為117%，遠 大于20%，且2022年營業收 入金額為211億元，大于3億 元。公司完全符合科創屬性指標要求n在現行科創板注冊制下，市值及財務指標應當至 少符合下列標準中的一 項：，市值預期：n 可比上市公司中芯國際當前PS為9.8倍，在保守、中性、積極條件 下我們分別選取8倍、10倍、12倍的PS35、倍數。n 公司計劃在2025年完成科創板IPO申報，假設2026年完成上市，2027年實現退出。經測算得，退出時公司市值將超萬億！公司名稱估值（億元）2022年營業總收 入（億元）PS（TTM）PB（MRQ）中芯國際46324959.83.2C公司15162117.21.9C公司在國內肩負的歷史使命、戰略地位可類比于中芯國際，中芯國際為C公司在國內唯一可對標公司。中芯國中芯國際際C公司公司n中芯國際為國內最為領先的先進制程晶圓制造企業，肩負了中國先進制nC公司作為國內唯一的一家NAND閃存芯片制造企業，稀缺性超過中芯國際！程芯片制造的重任，從此中國的先進制程芯片在國際上有了一席之地，不再一受制36、裁就行業癱瘓。n由于NAND閃存芯片在數據時代作為關鍵基礎設施的不可替代的作用，是中國云計算、物聯網、人工智能、智能駕駛等數字經濟的發展的土壤，也是保證數據安n同時中芯國際在國內半導體產業鏈中具有舉足輕重的地位，中芯國際作全的基石，對未來國力的競爭起到關鍵性作用。為產業鏈中樞，支持了國內上千家半導體設備、材料、零部件企業，以及廣泛的下游應用行業。n此外，C公司更是國內唯一一家在半導體先進制造領域與全球巨頭沒有代差、甚至反超的企業！估值合理性分析：目前C公司從PS、PB角度來看，估值都低于可比公司。市值預期2027年業績完成度80%100%120%8271,0331,240保守86,6138,2669,919中性108,26610,33212,399積極129,91912,39914,878