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1、XXXX晶圓科技有限公司晶圓科技有限公司第 一 部 分第 二 部 分 第 三 部 分 第 四 部 分 第 五 部 分 第 六 部 分 第 七 部 分行業(yè)概況企業(yè)簡(jiǎn)介 企業(yè)文化 管理團(tuán)隊(duì) 專利產(chǎn)品 產(chǎn)品介紹 融資計(jì)劃目目 錄錄行業(yè)概況行業(yè)概況8行業(yè)痛點(diǎn)：半導(dǎo)體行業(yè)行業(yè)痛點(diǎn)：半導(dǎo)體行業(yè)是現(xiàn)代科技的象征，提高半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)是現(xiàn)代科技的象征，提高半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化比例迫在眉睫。伴隨著近幾十年現(xiàn)代科技行業(yè)的日新月異，以集成電路(IC)為主的半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，并成為全球經(jīng)濟(jì)的 重要支柱。據(jù)世界貿(mào)易半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(WSTS)統(tǒng)計(jì)，2013年全球半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到3043億美元，首次突破3000 億美元大關(guān)，2、較2012年的2916億美元增長(zhǎng)4.4%。由于歐美國(guó)家對(duì)我國(guó)高科技技術(shù)封鎖，導(dǎo)致我國(guó)每年半導(dǎo)體進(jìn)口金額 超過(guò)2300億美元，已經(jīng)超過(guò)石油進(jìn)口金額，提高半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化比例迫在眉睫。中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合增長(zhǎng)率顯著高中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合增長(zhǎng)率顯著高于全球。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(CSIA)統(tǒng)計(jì)，2013年中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模較2012年增長(zhǎng)12%。過(guò)去十年，中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合增長(zhǎng)率為18.8%,顯著高于全球6.6%的增長(zhǎng)速度。政府開(kāi)始直接在資金層面上給予半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支持。政府開(kāi)始直接在資金層面上給予半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支持。國(guó)家成立總額度達(dá)1200億元的半導(dǎo)體扶持基金，用于支3、持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。預(yù)計(jì)能帶動(dòng)5000億規(guī)模行業(yè)的投資。行業(yè)概況行業(yè)概況行業(yè)概況行業(yè)概況中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展始于分中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展始于分 立器件，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最初立器件，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最初 產(chǎn)品。產(chǎn)品。2014年分立器件國(guó)內(nèi) 市場(chǎng)規(guī)模將近2000億元。從 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來(lái)看，目前二極管和 三極管仍然是我國(guó)半導(dǎo)體分立 器件市場(chǎng)的主力產(chǎn)品，且兩者 的市場(chǎng)份額基本維持不變。功 率晶體管仍是占中國(guó)分立器件 市場(chǎng)份額最高的產(chǎn)品。2010-2014年中國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)情況(數(shù)據(jù)來(lái)源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)投資決策網(wǎng))1388.61388.61135.4700649637-49637-1642.51642.54、18.20%18.20%15.90%15.90%20 一20E.13901390%企業(yè)簡(jiǎn)介企業(yè)簡(jiǎn)介成立于成立于20052005年年9 9月月3030日。日。是是XXXXXXXX公司及福建公司及福建XXXX公司公司(51%)(51%)的合資公司。的合資公司。是從事半導(dǎo)體元器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技是從事半導(dǎo)體元器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)支持的制造商。術(shù)支持的制造商。通過(guò)通過(guò)ISO9001:2008ISO9001:2008 質(zhì)量管理體系和質(zhì)量管理體系和ISO1400ISO14001:20041:2004 環(huán)境管理體系雙認(rèn)證。環(huán)境管理體系雙認(rèn)證。公司簡(jiǎn)介公司簡(jiǎn)介 產(chǎn)品線涵蓋產(chǎn)業(yè)鏈的主要環(huán)節(jié)產(chǎn)品線涵蓋產(chǎn)5、業(yè)鏈的主要環(huán)節(jié)產(chǎn)品線涵蓋半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)鏈的主要環(huán)節(jié)主要用于電器中的檢波，混頻，參量放大，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓，整流 等。在電子電器軍工等行業(yè)中得在電子電器軍工等行業(yè)中得到廣泛使用到廣泛使用如手機(jī)，電視，冰箱，空調(diào)，電腦，LED燈，開(kāi)關(guān)，汽車，集成電路，航空航天，軍工武器等。產(chǎn)品遠(yuǎn)銷多國(guó)產(chǎn)品遠(yuǎn)銷多國(guó)遠(yuǎn)銷韓國(guó)、XX、德國(guó)、美國(guó)、印度、俄羅斯、意大利、日本等20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。公司依托三十余年的半導(dǎo)體制造專公司依托三十余年的半導(dǎo)體制造專業(yè)經(jīng)驗(yàn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)?zāi)戤a(chǎn)銷各類半導(dǎo)體元器件近百億只，產(chǎn)品包括TO-220系列的半導(dǎo)體元器件、表面貼裝和軸向插接系 列二極管及整流橋等50多個(gè)系列，1,500余品種，同時(shí)也對(duì)外承接各種6、元器件的封裝檢測(cè)業(yè)務(wù)，可以 為客戶提供大批量、全系列、多品種、專業(yè)化的一 攬子解決方案。公司的產(chǎn)品是多家世界知名公司的準(zhǔn)公司的產(chǎn)品是多家世界知名公司的準(zhǔn)入品牌入品牌間接應(yīng)用在如蘋(píng)果、三星、華為、聯(lián)想、中興、NEC、TCL 等世界知名品牌多款終端電子產(chǎn)品。公司研發(fā)基地：XX硅谷XXXX科學(xué)工業(yè)圓XX科學(xué)園區(qū)帶動(dòng)XX經(jīng)濟(jì)的蓬 勃發(fā)展，使XX許多科技產(chǎn)業(yè)名 列世界前茅(僅次于美國(guó)、日 本)。園區(qū)電子產(chǎn)品，像網(wǎng)絡(luò)卡、影像掃描器、終端機(jī)、桌上電腦 等產(chǎn)值，均占全島50%以上，在 世界上也能排名一、二。XX地 區(qū)IC產(chǎn)業(yè)的制造，包括電路設(shè)計(jì)、集成電路等，也由該園區(qū)壟斷，XX地區(qū)已經(jīng)成為全世界第四大 半導(dǎo)體7、工業(yè)制造者，僅次于美國(guó)、日本和韓國(guó)。公司控股江蘇公司控股江蘇XXXX精密電精密電子有限公司，子有限公司，XXXX電子電子(深圳深圳)有限公司。有限公司。與與XXXXXXXX和和XXXXXXXX硅谷園區(qū)半導(dǎo)體企業(yè)在研發(fā)設(shè)計(jì)等有著緊密硅谷園區(qū)半導(dǎo)體企業(yè)在研發(fā)設(shè)計(jì)等有著緊密 長(zhǎng)期的合作。長(zhǎng)期的合作。占地50余畝，廠房15250平方米 規(guī)劃年生產(chǎn)能力10億元以上，外 加代工企業(yè)總生產(chǎn)能力可達(dá)30億 元以上。半導(dǎo)體行業(yè)在以深圳為中心的珠 三角地區(qū)的銷售規(guī)模占到全國(guó)的 三分之一以上。公司生產(chǎn)基地：江蘇泰州公司銷售總部：深圳核心競(jìng)爭(zhēng)力與技術(shù)核心競(jìng)爭(zhēng)力與技術(shù) 核心競(jìng)爭(zhēng)力核心競(jìng)爭(zhēng)力Cost Quality Ef8、fective+Advanced RD Team+Vertical Resource Integration +Environment Protection+Tech.Value added先進(jìn)技術(shù)團(tuán)隊(duì)先進(jìn)技術(shù)團(tuán)隊(duì) 成本質(zhì)量?jī)?yōu)化成本質(zhì)量?jī)?yōu)化 垂直整合資源垂直整合資源 高效節(jié)能環(huán)保高效節(jié)能環(huán)保 技術(shù)附加價(jià)技術(shù)附加價(jià)值值1.Excellent Product Design,Strong Production SPC control,High Yield Rate and reliable Product.2.Vertical Strength Resource integration,Flexib9、le wafer foundry support.3.Meet Environment Protection Rule To Provide the Green Product.4.Value added provider:Technical Service and Application Service provider to meet customer demanding.s.Quality Cost Delivery Innovation Service Speed Customized Value Added公司下游企業(yè)有大量?jī)?yōu)質(zhì)客戶，包括茂碩電子、橋威電源、帝聞電子、，包括茂碩電子、10、橋威電源、帝聞電子、XXXX炬神電子、英諾爾電子、威倫電子、冠翔電子等炬神電子、英諾爾電子、威倫電子、冠翔電子等，公，公司客戶均為各地上市公 司，集團(tuán)公司等長(zhǎng)期合作客戶，最短的合作客戶也有5年時(shí)間，最長(zhǎng)的客戶 合作時(shí)間在20年以上。知名下游企業(yè)團(tuán)知名下游企業(yè)團(tuán)XMINNOV英諾爾英諾爾JOWAY一 籍 醒 動(dòng) 科 接 童事長(zhǎng)童事長(zhǎng)多年金融行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，2011年進(jìn)入半導(dǎo)體科技行業(yè)，對(duì)半導(dǎo)體 行業(yè)有深入的了解和經(jīng)驗(yàn)，對(duì)企業(yè)戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃以及產(chǎn)業(yè)整 合并購(gòu)有豐富的經(jīng)驗(yàn)。總經(jīng)理總經(jīng)理 財(cái)務(wù)總監(jiān)財(cái)務(wù)總監(jiān)美國(guó)加州大學(xué)圣荷西分校(San Jose SU)公司財(cái)務(wù)管理本 科在美國(guó)超過(guò)10年的財(cái)務(wù)管理經(jīng)驗(yàn)于美國(guó)富國(guó)11、銀行(Wells Fargo Bank戴爾軟件科技(Dell),和設(shè)備制造企業(yè)(Spiral-Helix)8年在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體公司任職企業(yè)管理XX臺(tái)北科技大學(xué)畢業(yè)XX麗正電子有限公司新玻半導(dǎo)體公司青島XX電子公司泰州XX晶圓科技有限公司副總經(jīng)理副總經(jīng)理臺(tái)北科技大學(xué)高輝光電科技有限公司冠坤電子(股)公司日立亞洲(股)公司XX東藝電子(股)公司晶圓事業(yè)XX交通大學(xué)工學(xué)院半導(dǎo)體材料碩士畢業(yè).曾任職于通用半導(dǎo)體(Vishay group)、光磊科技、福昌 半導(dǎo)體等知名企業(yè)，多年專注于晶圓及封裝專業(yè)領(lǐng)域。復(fù)旦大學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)系大學(xué)本科畢業(yè)曾任電子材料一廠技術(shù)科長(zhǎng)XX晶圓科技工務(wù)部主管芯片研發(fā)工程團(tuán)隊(duì)芯片研發(fā)12、工程團(tuán)隊(duì)美國(guó)加州大學(xué)洛衫磯分校(UCLA)電子工程專業(yè)本科加州Santa Clara大學(xué)電子工程專業(yè)碩士超過(guò)15年的IC產(chǎn)業(yè)設(shè)計(jì)及管理經(jīng)驗(yàn)。曾任硅谷Cadence Design Systems公司，硅谷Altius Solutions公司創(chuàng)始組成員 及該公司Engineering Manager。也曾在Sun Microsystems和TandemComputers(今HP)任資深工程師，從事一系列的芯片設(shè)計(jì)和工程項(xiàng)目管理工作。XX淡江大學(xué)建筑系畢業(yè)曾參與XX華邦電子(5時(shí)/6時(shí)/10時(shí)廠)、福建福晶科技軟 件園區(qū)，南昌富昌科技園區(qū)，南昌金嘉名筑等項(xiàng)目專案。1 XX協(xié)和工商電子科畢業(yè)舞臺(tái)燈光及13、景觀照明設(shè)計(jì)施工24年經(jīng)歷.芯片研發(fā)工程團(tuán)隊(duì)芯片研發(fā)工程團(tuán)隊(duì)晶圓事業(yè)口美國(guó)加州大學(xué)河濱分校(UC Riverside)管理研究專業(yè) 口 目前在上海交通大學(xué)工商管理學(xué)院就讀碩士班。具備英漢雙語(yǔ)能力以及在美國(guó)紐約，臺(tái)北和上海的各國(guó)際機(jī)構(gòu)任職經(jīng)歷，包括全球500強(qiáng)企業(yè)和Cisco Systems思科。口XX明新大學(xué)電子工程系畢業(yè)口曾任美國(guó)朗訊科技有限公司制造處處長(zhǎng) 青島格林電子有限公司總經(jīng)理/董事管理事業(yè)部管理團(tuán)隊(duì)管理團(tuán)隊(duì) 銀面高壓平面式MOS 肖特基二極管(PMR)鋁面低壓平面式MOS 肖特基二極管(PMR)極管(TBR)彎角恒流二極管 高壓硅堆 機(jī)車整流器 汽車整流器 肖特基二極管TVS 二極管14、 玻璃披覆芯片(GPP)開(kāi)放性臺(tái)片二極管 硅整流二極管D)二CR基管(肖特定 電 流 二 極溝 槽 式MOS燈 泡 電 源 一 體 化 系 統(tǒng) 碳 化 硅 半 導(dǎo) 體專利產(chǎn)品專利產(chǎn)品產(chǎn)產(chǎn)品介紹品介紹目前市場(chǎng)主流的充電產(chǎn)品充電效率較差，以手機(jī)充電器為例，平均充電時(shí)間為3-4小時(shí)，而且充電器容易發(fā)熱。隨著生活節(jié)奏的加快，各手機(jī)廠商競(jìng)爭(zhēng)的加劇，無(wú)論是消費(fèi)者還是 手機(jī)廠商對(duì)充電效率要求越來(lái)越高。20162016產(chǎn)品系列產(chǎn)品系列(一一)UPMMOS-Schottky 是目前國(guó)內(nèi)外解決充電效率最佳的二極管產(chǎn)品，可以將手平均充電時(shí) 間控制在30分鐘內(nèi)，且減低手機(jī)發(fā)熱，保證手機(jī)安全性。產(chǎn)品目前已經(jīng)上市銷售。產(chǎn)15、品分為產(chǎn)品分為PMCD 及及TSBD兩大系列產(chǎn)品兩大系列產(chǎn)品，是目前市場(chǎng)上最高端是目前市場(chǎng)上最高端的的Schottky 二極管二極管芯片，技術(shù)層次高，特別適用于高效率芯片，技術(shù)層次高，特別適用于高效率 需求的電源相關(guān)產(chǎn)品，尤其是手需求的電源相關(guān)產(chǎn)品，尤其是手機(jī)機(jī)/3/3C C通訊相關(guān)產(chǎn)品的充電器，是目前市場(chǎng)上通訊相關(guān)產(chǎn)品的充電器，是目前市場(chǎng)上極具競(jìng)爭(zhēng)力的明星產(chǎn)品極具競(jìng)爭(zhēng)力的明星產(chǎn)品。新產(chǎn)品新產(chǎn)品MOS-Schottky 介紹介紹1.MOS-Schott1.MOS-Schottkyky芯片產(chǎn)品芯片產(chǎn)品新產(chǎn)品應(yīng)用新產(chǎn)品應(yīng)用Charger(充電器),SMPS(開(kāi)關(guān)式電源),Solar(太陽(yáng)能 板),16、PC Power(計(jì)算機(jī)電計(jì)算機(jī)電源源),),Portables(攜帶式電器攜帶式電器)。溝槽式溝槽式 MOS-Schottky(TBR)新產(chǎn)品新產(chǎn)品應(yīng)用于應(yīng)用于NB計(jì)算機(jī)充電器，計(jì)算機(jī)充電器，Video Player電源，電源，DC/DC 電源，計(jì)算電源，計(jì)算機(jī)及及Server 的的 Power Supply,LCD TV電源，高頻電源，高頻DC/DC 9DWconverter,Switchingonverter,Switching PowerPower Supply,Supply,電池逆向保護(hù)電路等電池逆向保護(hù)電路等等。低壓經(jīng)常使用于等。低壓經(jīng)常使用于SolarSolar應(yīng)用應(yīng)用.平面式平17、面式MOS-Schottky(PMR)新產(chǎn)品應(yīng)用于新產(chǎn)品應(yīng)用于CRD恒流二極管產(chǎn)品將替代原有LED燈電源控制的IC芯片，降低成本30%,將顛覆整個(gè)LED 產(chǎn)業(yè)。LED產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)多年的白熱化競(jìng)爭(zhēng)，已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)業(yè)淘汰階段，未來(lái)將會(huì)有80%的LED 生產(chǎn)企20162016產(chǎn)品系列產(chǎn)品系列(二二)業(yè)淘汰，在行業(yè)內(nèi)存活主要靠規(guī)模優(yōu)勢(shì)和成本優(yōu)勢(shì)。定電流二極管(CRD),從低電壓于4V到140V在很寬的電 壓波動(dòng)范圍，提供一個(gè)恒定的電流簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì).一般定電流電路通常需要復(fù)雜的多組件配置，但該產(chǎn)品非常 簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)可以經(jīng)由單CRD 來(lái)實(shí)現(xiàn)。產(chǎn)品用途LED熒光燈.LED 路燈.LED 燈泡.LED 筒燈LED 亮度18、穩(wěn)定 的恒流供給使用定電流構(gòu)成定電壓回路近接傳感器.恒流源的各 種傳感器電池充電與放電的電路電解電容器通電檢查裝置各種半導(dǎo)體恒定電流檢查裝置通信線路的內(nèi)部接口漏電斷路器壓電產(chǎn)品的電流供給電源電路安定化新產(chǎn)品新產(chǎn)品 CRD恒流二極管介紹恒流二極管介紹專業(yè)照明方案專業(yè)照明方案高附加價(jià)值，高壓大電流 照明永續(xù)經(jīng)營(yíng)方案永續(xù)經(jīng)營(yíng)方案CRDCRD 方案方案成本低，線踏簡(jiǎn)單又成本低，線踏簡(jiǎn)單又蘆省空間蘆省空間價(jià)值方案價(jià)值方案LEDLED 照明發(fā)展方向與方案照明發(fā)展方向與方案Cheaper and competitive Solution in Cost ConcernLED 照明產(chǎn)業(yè)，如何竟?fàn)幣c獲利?Hig19、h-value added LED lighting Solution碳化硅(SIC)是一種更能實(shí)現(xiàn)小型化/低功耗與高效率目標(biāo)的功率組件。此種材料能夠降低 切換損耗，在高溫環(huán)境下仍具備絕佳的工作特性，因此已成為新世代的低損耗組件。目前 國(guó)內(nèi)公司尚無(wú)生產(chǎn)能力，公司將于2016年推出該產(chǎn)品。隨著電力控制在各行業(yè)的普遍應(yīng)用對(duì)高壓功率組件的耐壓/耐溫能力、導(dǎo)通效率、切換時(shí) 間及體積更趨苛求。20162016產(chǎn)品系列產(chǎn)品系列(三三)SiC=Silicon Carbide(碳化硅碳化硅)GaN=Gallium Nitride(氮化氮化鎵鎵)SiC 高電高電壓高電流壓高電流GaNGaN 中低壓高頻率中低壓高20、頻率體積減少體積減少1/4,1/4,損耗減少損耗減少50-50-70%70%新產(chǎn)品新產(chǎn)品Sic /GaN寬能隙高端節(jié)能組件介紹寬能隙高端節(jié)能組件介紹操作環(huán)溫2500C降低回路 損耗Sic 半導(dǎo)體產(chǎn)品與特性半導(dǎo)體產(chǎn)品與特性 碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性，是新一代雷達(dá)系統(tǒng)的核心。碳化硅基微波器件作為當(dāng)今世界最為理想的微波器件，其功率密度是現(xiàn)有微波器件的10 倍，將成為下一代雷達(dá)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)，美軍干擾機(jī)和“宙斯盾”驅(qū)逐艦的相控陣?yán)走_(dá)已開(kāi) 始換裝碳化硅基微波器件產(chǎn)品，軍用市場(chǎng)將在未來(lái)幾年推動(dòng)碳化硅基微波器件的快速發(fā) 展。隨著無(wú)線通信技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)硬件系統(tǒng)高功率密度、快響應(yīng)速度的21、需求日益迫切，基于碳化硅材料的晶體管在微波射頻領(lǐng)域具有單晶硅、砷化鎵器件無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，適 合航天、微波通信、電子對(duì)抗、大容量信息處理等應(yīng)用。隨著我國(guó)碳化硅晶片生產(chǎn)能力 的增強(qiáng)，國(guó)產(chǎn)戰(zhàn)機(jī)、戰(zhàn)艦都將能換上新的、性能更好的“千里眼”。節(jié)能風(fēng)潮興起造成電源、服務(wù)器、太陽(yáng)能逆變器(Inverter)和電信級(jí)網(wǎng)通設(shè)備，對(duì)高壓功 率組件的耐壓/耐溫能力、導(dǎo)通效率、切換時(shí)間及體積更趨苛求。材料特性較硅更加優(yōu)異的碳化硅(硅)(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬能隙(Wide Band Gap,WBG)功率組件順勢(shì)崛起，吸引眾多功率半導(dǎo)體商投入研發(fā)。相較于硅(SI)半導(dǎo)體，碳化硅(SiC)是一種更能實(shí)現(xiàn)小型化/低功22、耗與高效率目標(biāo)的功率組件。此種材料能夠降低切換損 耗，在高溫環(huán)境下仍具備絕佳的工作特性，因此已成為新世代的低損耗組件。SiC蕭特基二極管耐電壓能力、導(dǎo)通/切換效率及設(shè)計(jì)成本全面優(yōu)化，同時(shí)也壓縮晶圓厚度 至110微米，并強(qiáng)化瞬間突波電流(Surge Current)負(fù)載能力，可全方位滿足高壓設(shè)備需求,促使節(jié)能效益更上層樓。所有電源供應(yīng)器、IT 設(shè)備開(kāi)發(fā)商皆期望藉寬能隙材料，進(jìn)一步提高電源轉(zhuǎn)換效率。由于 SiC與GaN 可耐高壓、高溫與大電流，促進(jìn)基板薄型化，進(jìn)而減輕導(dǎo)通電阻及切換阻抗，對(duì)提升電源轉(zhuǎn)換效率大有幫助，故已在電管理源業(yè)界刮起取代傳統(tǒng)硅制功率組件的旋風(fēng)。SicSic/GaN/GaN 半導(dǎo)23、體產(chǎn)品與特性半導(dǎo)體產(chǎn)品與特性SiC和GaN 器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng)：1.預(yù)計(jì)到2020年，SiC和GaN 功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。2.SiC功率器件增長(zhǎng)動(dòng)力主要來(lái)自可再生能源領(lǐng)域，在太陽(yáng)能市場(chǎng)占有率將達(dá)32%。3.在軌道交通領(lǐng)域，SiC和GaN 預(yù)計(jì)到2020年，兩者市場(chǎng)份額分別為16%和15%。4.在IT和電子設(shè)備市場(chǎng)，GaN較SiC更有優(yōu)勢(shì)，估計(jì)2020年市場(chǎng)份額可達(dá)14%。GaN 的功率特性比SiC更勝一籌，目前GaN 的技術(shù)開(kāi)發(fā)，礙于材料量產(chǎn)良率偏低，發(fā)展速 度反而較SiC晚，GaN 雖起步較晚，但后勁十足，除了可提供類似SiC的性能特色，還有更 大的成本降低潛力，24、因?yàn)镚aN 功率器件可在硅襯底上生長(zhǎng)出來(lái)，與SiC 襯底相比，它的成本更低，性價(jià)比優(yōu)勢(shì)是有可能實(shí)現(xiàn)的。中國(guó)大陸相關(guān)政策的完善及戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的崛起，電力電子技術(shù)在風(fēng)能、太陽(yáng)能、熱泵、水電、生物質(zhì)能、綠色建筑、新能源裝備、電動(dòng)汽車等先進(jìn)制造業(yè)等重要領(lǐng)域都將發(fā)揮重 要作用，而這其中的許多領(lǐng)域都在“十二五”十三五”規(guī)劃中具備萬(wàn)億以上的市場(chǎng)規(guī)模，其必然帶動(dòng)電力電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，迎來(lái)重大的發(fā)展機(jī)遇。Sic /GaN 半導(dǎo)體產(chǎn)品與市場(chǎng)應(yīng)用半導(dǎo)體產(chǎn)品與市場(chǎng)應(yīng)用未來(lái)電力電子元器件市場(chǎng)發(fā)展將更多地集中到SiC 和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。碳化硅器件活躍于各種碳化硅器件活躍于各種領(lǐng)域，領(lǐng)域，包括電源、汽車、鐵路、25、工業(yè)設(shè)包括電源、汽車、鐵路、工業(yè)設(shè)備、備、家用消費(fèi)類電子設(shè)備等家用消費(fèi)類電子設(shè)備等通 過(guò) 使 用 碳 化 硅 器 件，使 設(shè) 備 小 型 化、低 功 耗 化。優(yōu) 異 的 高 耐 壓、高 耐 熱 性 能 使 其 在 比 以 往 更 狹 小 的 空 間 和 更 嚴(yán) 苛 的 環(huán) 境 下 得 以 使 用。以 汽 車 為 例。通 過(guò) 在 混 合 動(dòng) 力 車、電 動(dòng) 汽 車 中 使 用。大 幅 降 低燃 油 消 耗 率。擴(kuò) 大 室 內(nèi) 空 間。另 外。使 用 太 陽(yáng) 能發(fā) 電 時(shí)，降 低 電 力 報(bào) 耗 5 0%左 右，為 地 球 環(huán) 保 做 出 巨 大 貢 獻(xiàn)。電 力 損 耗 比 較一條直路上的電力概其26、8888 器通時(shí)的調(diào) SRGRT*FRD)電 力 損 耗 減 少 4 7 9,開(kāi) 關(guān) 損 耗 減 少 8 5%wcra 輸電系統(tǒng)輸電系統(tǒng)市物考培光*型。雪性超勢(shì)將公型化，輕量化功率半導(dǎo)體材料Si(硅/硅),由于 已趨近其物理性質(zhì)極限，難以有 大幅度的效率提升，于是新近登 場(chǎng)的碳化硅(SiC)半導(dǎo)體遂成為被 寄予厚望的明日之星(如右圖)力車車閱金動(dòng)電電 動(dòng)動(dòng)Sic 半導(dǎo)體產(chǎn)品特性與應(yīng)用市場(chǎng)半導(dǎo)體產(chǎn)品特性與應(yīng)用市場(chǎng)電動(dòng)車電動(dòng)車太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能電池太陽(yáng)前 理高功服服 務(wù)務(wù) 器器通過(guò)排低服務(wù)器電力模耗減少數(shù)據(jù)中心的功耗電電 車車輸 電 系 統(tǒng)將電力損耗減半自geH(tedEM)*R要加節(jié)能工 業(yè) 設(shè) 27、備*工業(yè)設(shè)備工業(yè)設(shè)備白色白色家家電電服務(wù)器服務(wù)器個(gè) 電 題 小 型 優(yōu)*e*m置腦ACO人電電 車車使還變裝置小型化，輕量化個(gè)人計(jì)算機(jī)個(gè)人計(jì)算機(jī)a00 300IGBTXX公司在XX設(shè)計(jì)研發(fā)團(tuán)隊(duì)在這領(lǐng)域已研發(fā)十幾年，芯片產(chǎn)品已成熟，有自已 專有技術(shù)不會(huì)被歐美日本國(guó)家牽制，計(jì)劃2018年推向市場(chǎng)，產(chǎn)品用于高鐵.軌道交通.智 能電網(wǎng)等高端工業(yè)應(yīng)用，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。IGBT是驅(qū)動(dòng)機(jī)車牽引電傳動(dòng)系統(tǒng)的(高鐵之心)宛若人體心臟，直接關(guān)系到 機(jī)車的動(dòng)力之源，是機(jī)車牽引系統(tǒng)中最核心的技術(shù)，目前國(guó)內(nèi)高鐵各方面技20162016產(chǎn)品系列產(chǎn)品系列(四四)術(shù)相當(dāng)成熟，但I(xiàn)GBT核心技術(shù)由歐美日本掌握。公司未來(lái)產(chǎn)品發(fā)展主28、要應(yīng)用領(lǐng)域公司未來(lái)產(chǎn)品發(fā)展主要應(yīng)用領(lǐng)域車用CE組件 Automotive CE Devices云端系統(tǒng)電源裝置Power Cloud System(Pcs)計(jì)算機(jī)信息系統(tǒng)Computer System可揣式及智慧型手樵Mobile and Smart PhonesIndustrial Power SystemInternet Telecommunication工業(yè)用電源系統(tǒng)*u網(wǎng)絡(luò)通訊網(wǎng)絡(luò)通訊*.mte信 FREDFRED(快速恢復(fù)二極管快速恢復(fù)二極管)1.超快速逆向恢復(fù)特性(Ultrafast Recovery Characteristic2.低功率損失(Low Recoveny Loss)29、3.低順向?qū)妷?Low Forward Voltage4.高涌浪電流特性(High Surge Currect Characteristeic1.切換式電源供應(yīng)器2.功因調(diào)節(jié)器3.大功率LED照明4.不斷電系統(tǒng)o Trench SKY1.藉由Trench制程有效降低SKY芯片阻抗與芯片耗能，有效提升導(dǎo)通密度。2.與同級(jí)Planar制程芯片相比，較薄的Trench制程代表阻抗的表現(xiàn)更佳，VF值的表現(xiàn)更僅，節(jié)能更佳。o TVS產(chǎn)品性能1.高封裝集成度2.低電容值(Low Capacitance3.低箱制電壓(Low Clamping Voltageo SiC SKY產(chǎn)品特性因?yàn)門(mén)otal Ca30、pacitive Charge(QC)小，故可減少切換損失，亦可達(dá)到高速切換，另外Si材料FRB(Fast Recovery Diode)的 trr會(huì)因溫度上升而增加，但SiC卻不會(huì)受溫升影響，幾乎可維持在一定的特性。20162016新產(chǎn)品說(shuō)明新產(chǎn)品說(shuō)明ESD/EMIESD/EMI ProtecProtectiontion1.超低電容值(Ultra Low Capacitance)2.低漏電流與箱位電壓(Low Leakage Current and Clamping Voltage)3.低作電壓(Low operating Voltage1.High Definition Multi-Med31、ia Interface(HDMI)2.Digital Visual Interface(DVI)3.Display Pore TM Interface&MDDI Ports4.PCI Express&eSATA Interface5.USB 2.0/3.06.Networking Equipment&Set Top Box7.Notebook ComputerHigh speed Power MOS1.Line Drivers for Extra Heavily-Loaded lines2.Pulse Gemerators3.Local Power ON/OFF switch4.Motor 32、and Solenoid DriverSuperSuper JunctionJunction MOS(SJMOS(SJ MOSFET)MOSFET)1.5MIPS2.Hard switching and high speed circuit3.LED lightingHigh speed Photo-coupler1.High speed interface for computer perioherals,micro computer systems2.High speed line receivers3.Noise reduction4.Interfaces for data transm33、ission equipmentSRSR HVHV PowerPower MosMosLDC-DC converter2.Motor control20172017新產(chǎn)品說(shuō)明新產(chǎn)品說(shuō)明o SiCSiC PowerPower MOSMOS由于switching動(dòng)作時(shí)沒(méi)有tail Current,故可高速動(dòng)作，且降低切換損失。Chip面積不須太大，即可達(dá)成低導(dǎo)通電阻，故可做到低電容量與低Gate charge,Si組件的導(dǎo)通阻抗會(huì)隨著溫度上升而增加2倍以上；但Sic的導(dǎo)通阻抗增加量則相對(duì)較小，對(duì)于產(chǎn)品的小型化及節(jié)能化有所貢獻(xiàn)。FSFS IGBT(FieldIGBT(Field StopStop I34、GBT)IGBT)FS IGBT在導(dǎo)通期間具有更低的飽和壓降Vce(sat),且在關(guān)斷瞬間具有更低的開(kāi)關(guān)損失。與其他類型的IGBT一樣，由于沒(méi)有內(nèi)嵌體二極管，它在大多數(shù)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常與額外的FRED一起封裝。o MPSMPS DiodeDiode(PIN/SKY混合二接管)可達(dá)到超快和超軟恢復(fù)特性，同時(shí)又兼具有低的正向?qū)〒p耗，以減少芯片的發(fā)熱損耗。20182018新產(chǎn)品說(shuō)明新產(chǎn)品說(shuō)明市場(chǎng)開(kāi)發(fā) 銷售與服務(wù)公司公司(產(chǎn)品產(chǎn)品檢測(cè)檢測(cè))品牌運(yùn)營(yíng)品牌運(yùn)營(yíng)元器件封裝測(cè)試商業(yè)模式與銷售渠道商業(yè)模式與銷售渠道晶圓芯片 制造測(cè)試晶圓芯片 設(shè)計(jì)研發(fā)融資計(jì)訓(xùn)融資計(jì)訓(xùn)組件種類組件種類料號(hào)規(guī)格料號(hào)規(guī)格 封裝格式封裝35、格式成本(RMB/K)(RMB/K)市場(chǎng)售價(jià)(RMB/K)(RMB/K)銷售毛利(%)SchottkySchottky20A/100V20A/100VTO220TO22063063092092031.5%TrenchTrench MOSMOSSchottkySchottky20A/100V20A/100VTO220TO220740130043.1%SicSic SchottkySchottky20A/600V20A/600VTO220TO22029501475080.0%所有電源供應(yīng)器、IT設(shè)備開(kāi)發(fā)商皆期望藉寬能隙材料，進(jìn)一步提高電源轉(zhuǎn) 換效率。由于SiC與GaN 可耐高壓、高溫與大電流，促進(jìn)36、基板薄型化，進(jìn)而 減輕導(dǎo)通電阻及切換阻抗，對(duì)提升電源轉(zhuǎn)換效率大有幫助，故已在業(yè)界刮 起一陣旋風(fēng)，醞釀取代傳統(tǒng)硅制功率組件。惟當(dāng)前SiC材料供應(yīng)來(lái)源稀少，致使每安培價(jià)格仍高達(dá)0.10.12美元，超 出傳統(tǒng)硅材料數(shù)倍。以以2020安培的不同材料模擬產(chǎn)品的市價(jià)及毛利比較如下安培的不同材料模擬產(chǎn)品的市價(jià)及毛利比較如下產(chǎn)品售價(jià)與利潤(rùn)比較產(chǎn)品售價(jià)與利潤(rùn)比較融資及使用計(jì)劃融資及使用計(jì)劃計(jì)劃融資3250萬(wàn)元，每股6.5元，共計(jì)500萬(wàn)股，5萬(wàn)股(32.5萬(wàn))起投。資金用途：研發(fā)資金1500萬(wàn)增加設(shè)備1000萬(wàn)流動(dòng)資金750萬(wàn)單位：萬(wàn)元201520152016201620172017銷售4500700014000利潤(rùn)利潤(rùn)1100110020003500公司融資計(jì)劃及盈利預(yù)測(cè)公司融資計(jì)劃及盈利預(yù)測(cè)盈利預(yù)測(cè)盈利預(yù)測(cè)公公司司 預(yù)預(yù)計(jì)計(jì)1616年底掛牌新年底掛牌新三三板板，1818年轉(zhuǎn)創(chuàng)業(yè)板年轉(zhuǎn)創(chuàng)業(yè)板主辦券商：江海證券主辦券商：江海證券審審 計(jì)計(jì)機(jī)構(gòu)機(jī)構(gòu)：瑞華會(huì)瑞華會(huì)計(jì)計(jì)師事務(wù)所師事務(wù)所律 師師：大：大成律師事務(wù)所成律師事務(wù)所評(píng)估機(jī)構(gòu)評(píng)估機(jī)構(gòu)：北京華信眾合資北京華信眾合資產(chǎn)產(chǎn)評(píng)估評(píng)估有限有限公公司司公司上市之路公司上市之路