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1、電池片工藝介紹電池片工藝介紹太陽能電池片工作原理太陽能電池片工作原理太陽電池太陽電池將光能直接轉換為電能的半導體器件將光能直接轉換為電能的半導體器件太陽電池生產工序流程太陽電池生產工序流程硅片硅片(來料來料)制絨制絨擴散擴散刻蝕刻蝕去去PSGPECVD印刷背電極印刷背電極印刷鋁背場印刷鋁背場印刷正面電極印刷正面電極燒結燒結測試分選測試分選單晶單晶多晶多晶太陽電池生產工序流程太陽電池生產工序流程硅片硅片(來料來料)制絨制絨擴散擴散刻蝕刻蝕去去PSGPECVD印刷背電極印刷背電極印刷鋁背場印刷鋁背場印刷正面電極印刷正面電極燒結燒結測試分選測試分選硅片表面制絨處理的目的：硅片表面制絨處理的目的：3、2、形成起伏不平的絨面，增加硅、形成起伏不平的絨面，增加硅片對太陽光的吸收片對太陽光的吸收1、去除硅片表面的機械損傷層、去除硅片表面的機械損傷層2、清除表面油污和金屬雜質、清除表面油污和金屬雜質 硅片表面的機械損傷層硅片表面的機械損傷層（一）硅錠的鑄造過程（一）硅錠的鑄造過程（一）硅錠的鑄造過程（一）硅錠的鑄造過程單晶硅多晶硅 硅片表面的機械損傷層硅片表面的機械損傷層（二）多線切割（二）多線切割（二）多線切割（二）多線切割硅片表面的機械損傷層硅片表面的機械損傷層（三）機械損傷層（三）機械損傷層硅片機械損傷層（10微米）金屬雜質對電池性能的影響金屬雜質對電池性能的影響表面織構化表面織構化單晶硅片表面3、的金字塔狀絨面多晶硅片表面絨坑 依靠表面的絨面織構，依靠表面的絨面織構，對光進行多次反射，不對光進行多次反射，不僅減少了反射損失，而僅減少了反射損失，而且改變了光在硅中的前且改變了光在硅中的前進方向，延長了光程，進方向，延長了光程，增加了光生載流子的產增加了光生載流子的產量；曲折的絨面增加了量；曲折的絨面增加了p-n結面積，從而增加了結面積，從而增加了光生載流子的收集幾率；光生載流子的收集幾率；并改善了電池的紅光響并改善了電池的紅光響應。應。制絨原理制絨原理1、單晶制絨原理、單晶制絨原理 熱的熱的NaOH溶液去除硅片表面機械損傷層：溶液去除硅片表面機械損傷層：HF去除硅片表面氧化層：去除硅片表4、面氧化層：HCl去除硅片表面金屬雜質：去除硅片表面金屬雜質：鹽酸具有酸和絡合劑的雙重作用，氯離子能與 Pt 2+、Au 3+、Ag+、Cu+、Cd 2+、Hg 2+等金屬離子形成可溶于水的絡合物。制絨原理制絨原理2、多晶制絨原理、多晶制絨原理 在以在以HF-HNOHF-HNO3 3為基礎的水溶液體系中，硅片表面發生為基礎的水溶液體系中，硅片表面發生各向同性腐蝕，產生類似半球形狀的各向同性腐蝕，產生類似半球形狀的“凹陷凹陷”。HNOHNO3 3作用：作為一種氧化劑腐蝕硅片，與硅反應，在硅片作用：作為一種氧化劑腐蝕硅片，與硅反應，在硅片 表面形成一層表面形成一層SiOSiO2 2 。HF HF 作5、用：作用：去除硅片表面形成的去除硅片表面形成的SiOSiO2 2層。層。硅的酸性腐蝕的反應式：硅的酸性腐蝕的反應式：3Si+18HF+4HNO3 3H2SiF6 +4NO +8H2O 太陽電池生產工序流程太陽電池生產工序流程硅片硅片(來料來料)制絨制絨擴散擴散刻蝕刻蝕去去PSGPECVD印刷背電極印刷背電極印刷鋁背場印刷鋁背場印刷正面電極印刷正面電極燒結燒結測試分選測試分選PN結結太陽電池的心臟太陽電池的心臟擴散的目的：形成PN結 硅太陽電池生產中常用的幾種元素:硅（Si）、磷（P）、硼（B）元素的原子結構模型如下：第三層第三層4個電子個電子第二層第二層8個電子個電子第一層第一層2個電子個電子6、Si+14P+15B最外層最外層5個電子個電子最外層最外層3個電子個電子siPB硅晶體內的共價鍵 硅晶體的特點是原子之間靠共有電子對連接在一起。硅原子的4個價電子和它相鄰的4個原子組成4對共有電子對。這種共有電子對就稱為“共價鍵”。硼（B）是三族元素，原子的最外層有三個價電子，硼原子最外層只有三個電子參加共價鍵，在另一個價鍵上因缺少一個電子而形成一個空位，鄰近價鍵上的價電子跑來填補這個空位，就在這個鄰近價鍵上形成了一個新的空位，我們稱這個空位叫“空穴”。這種依靠空穴導電的半導體稱為空穴型半導體，簡稱P型半導體。P型半導體中空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。這種接受自由電子的雜質稱為受主雜7、質。如下圖:P型半導體（受主摻雜）型半導體（受主摻雜）-接受自由電子接受自由電子空鍵空鍵接受電子接受電子空穴空穴 磷（P）是五族元素，原子的最外層有五個價電子，磷原子最外層五個電子中只有四個參加共價鍵，另一個不在價鍵上，成為自由電子，失去電子的磷原子是一個帶正電的正離子，正離子處于晶格位置上，不能自由運動，它不是載流子。因此，摻入磷的半導體起導電作用的，主要是磷所提供的自由電子，這種依靠電子導電的半導體稱為電子型半導體，簡稱N型半導體。N型半導體上自由電子為多數載流子，空穴為少數載流子。這種提供自由電子的雜質稱為施主雜質。如下圖：N型半導體（施主摻雜）型半導體（施主摻雜）-提供自由電子提供自由8、電子多余電子多余電子PNPN結的制造結的制造結的制造結的制造制造一個PN結并不是把兩塊不同類型（p型和n型）的半導體接觸在一起就能形成的。必須使一塊完整的半導體晶體的一部分是P型區域，另一部分是N型區域。也就是在晶體內部實現P型和N型半導體的接觸。擴散裝置示意圖擴散裝置示意圖擴散裝置示意圖擴散裝置示意圖POClPOCl3 3磷擴散原理磷擴散原理磷擴散原理磷擴散原理POCl3在高溫下（600）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反應式如下：生成的P2O5在擴散溫度下與硅反應，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反應式如下：由上面反應式可以看出，POCl3熱分解時，如果沒有外來9、的氧（O2）參與其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且對硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態。但在有外來O2存在的情況下，PCl5會進一步分解成P2O5并放出氯氣（Cl2）其反應式如下：生成的P2O5又進一步與硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可見，在磷擴散時，為了促使POCl3充分的分解和避免PCl5對硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮氣的同時通入一定流量的氧氣。在有氧氣的存在時，POCl3熱分解的反應式為：POCl3分解產生的P2O5淀積在硅片表面，P2O5與硅反應生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一層磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中進行擴散。POCl3液態源擴散方法具有生產效率較高10、，得到PN結均勻、平整和擴散層表面良好等優點，這對于制作具有大面積結的太陽電池是非常重要的。擴散層薄層電阻及其測量擴散層薄層電阻及其測量擴散層薄層電阻及其測量擴散層薄層電阻及其測量在太陽電池擴散工藝中，擴散層薄層電阻是反映擴散層質量是否符合設計要求的重要工藝指標之一。對應于一對確定數值的結深和薄層電阻，擴散層的雜質分布是確定的。擴散層薄層電阻的測試擴散層薄層電阻的測試擴散層薄層電阻的測試擴散層薄層電阻的測試 目前生產中，測量擴散層薄層電阻廣泛采用四探針法。測量裝置示意圖如圖所示。圖中直線陳列四根金屬探針（一般用鎢絲腐蝕而成）排列在彼此相距為S一直線上，并且要求探針同時與樣品表面接觸良好，外面一11、對探針用來通電流、當有電流注入時，樣品內部各點將產生電位，里面一對探針用來測量2、3點間的電位差。太陽電池生產工序流程太陽電池生產工序流程硅片硅片(來料來料)制絨制絨擴散擴散刻蝕刻蝕去去PSGPECVD印刷背電極印刷背電極印刷鋁背場印刷鋁背場印刷正面電極印刷正面電極燒結燒結測試分選測試分選刻蝕目的刻蝕目的去除邊緣PN結，防止上下短路磷硅玻璃磷硅玻璃P型硅N型硅N型硅去除邊緣PN結，防止上下短路硅的酸性腐蝕的反應式：硅的酸性腐蝕的反應式：3Si+18HF+4HNO3 3H2SiF6 +4NO +8H2O 在擴散過程中發生如下反應：POCl3分解產生的P2O5淀積在硅片表面，P2O5與Si反應生成12、SiO2和磷原子：這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱之為磷硅玻璃。什么是磷硅玻璃？磷硅玻璃的去除磷硅玻璃的去除氫氟酸是無色透明的液體，具有較弱的酸性、易揮發性和很強的腐蝕性。但氫氟酸具有一個很重要的特性是它能夠溶解二氧化硅，因此不能裝在玻璃瓶中。在半導體生產的清洗和腐蝕工藝中，主要就利用氫氟酸的這一特性來除去硅片表面的二氧化硅層。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因為氫氟酸能與二氧化氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因為氫氟酸能與二氧化硅作用生成易揮發的四氟化硅氣體。硅作用生成易揮發的四氟化硅氣體。若氫氟酸過量，反應生成的四氟化硅會進一步與氫若氫氟酸過量，反應生成的四氟化硅會進一步與氫氟酸反應生成可13、溶性的絡和物六氟硅酸。氟酸反應生成可溶性的絡和物六氟硅酸。總反應式為：總反應式為：太陽電池生產工序流程太陽電池生產工序流程硅片硅片(來料來料)制絨制絨擴散擴散刻蝕刻蝕去去PSGPECVD印刷背電極印刷背電極印刷鋁背場印刷鋁背場印刷正面電極印刷正面電極燒結燒結測試分選測試分選PECVD：Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition等離子增強化學氣相沉積等離子增強化學氣相沉積PECVD的作用的作用在太陽電池表面沉積深藍色減反膜-SiN膜。其還具有卓越的抗氧化和絕緣性能，同時具有良好的阻擋鈉離子、掩蔽金屬和水蒸汽擴散的能力；它的化學穩定性也很好，除氫氟酸和熱磷酸14、能緩慢腐蝕外，其它酸與它基本不起作用。SiN膜外，TiO2，SiO2也可作為減反膜PECVD的作用的作用空氣或玻璃 n0=1 or 1.5SiN減反膜的最佳折射率n1為 1.9或2.3硅 n2=3.87 在左圖中示出了四分之一波長減反射膜的原理。從第二個界面返回到第一個界面的反射光與從第一個界面的反射光相位相差180度，所以前者在一定程度上抵消了后者。即n1d1=/4PECVD的作用的作用鈍化太陽電池的受光面 鈍化膜(介質)的主要作用是保護半導體器件表面不受污染物質的影響，半導體表面鈍化可降低半導體表面態密度。PECVD的作用的作用鈍化太陽電池的體內在SiN減反射膜中存在大量的H，在燒結過程中15、會鈍化晶體內部懸掛鍵。太陽電池生產工序流程太陽電池生產工序流程硅片硅片(來料來料)制絨制絨擴散擴散刻蝕刻蝕去去PSGPECVD印刷背電極印刷背電極印刷鋁背場印刷鋁背場印刷正面電極印刷正面電極燒結燒結測試分選測試分選通過絲網印刷的方法，將具有高度化學活性的金屬漿料印刷到硅片上，通過烘干使金屬漿料固化，再通過高溫快速燒結，在活性物質的幫助下，金屬與硅片表面形成合金層，從而形成了良好的接觸以及鋁背場。絲網印刷工序的作用絲網印刷工序的作用絲網印刷原理絲網印刷原理 絲網印刷是通過刮條擠壓絲網彈性形變后將漿料漏印在需要印刷的材絲網印刷是通過刮條擠壓絲網彈性形變后將漿料漏印在需要印刷的材料上的一種印刷方式，16、這也是目前普遍采用的一種電池工藝。料上的一種印刷方式，這也是目前普遍采用的一種電池工藝。11，刮條，刮條 2，漿料，漿料3，網布，網布4，待印電池片，待印電池片A，網布與電池間距，網布與電池間距P，刮條接觸點，刮條接觸點絲網印刷五大要：網版、刮膠、漿料、印刷臺及承印物。基本原理：利用網版圖文部分網孔透墨，非圖文部分網孔不透墨的基本原理進行印刷。印刷時在網版上加入漿料，刮膠對網版施加一定壓力，同時朝網版另一端移動。漿料在移動中從網孔中擠壓到承印物上，由于粘性作用而固著在一定范圍之內。由于網版與承印物之間保持一定的間隙，網版通過自身的張力產生對刮膠的回彈力，使網版與承印物只呈移動式線接觸，而其它部17、分與承印物為脫離狀態，漿料與絲網發生斷裂運動，保證了印刷尺寸精度。刮膠刮過整個版面后抬起，同時網版也抬起，并通過回墨刀將漿料輕刮回初始位置，完成一個印刷行程。絲網印刷原理絲網印刷原理 設備整體結構烘干爐烘干爐印刷臺印刷臺印刷臺印刷臺烘干爐烘干爐印刷臺印刷臺Micro-tec設備用的網框、網版和刮條設備用的網框、網版和刮條漿料漿料儒興科技儒興科技常見的供應商常見的供應商 在電池片的反面（未鍍膜面）用銀漿（或銀鋁漿）印刷背電極作為電在電池片的反面（未鍍膜面）用銀漿（或銀鋁漿）印刷背電極作為電池片的電極。池片的電極。背電極網板（背電極網板（僅以兩主柵為例僅以兩主柵為例）印刷完背電極后的硅片（三主柵）18、印刷完背電極后的硅片（三主柵）背電極印刷背電極印刷背電極印刷對漿料的要求背電極印刷對漿料的要求背電極為電池的物理正極，要求有好的焊接性能背電極為電池的物理正極，要求有好的焊接性能背電極漿料：背電極漿料：背電極漿料一般為背電極漿料一般為AgAg漿或漿或Ag/AlAg/Al漿漿對背電極漿料的要求：對背電極漿料的要求：成本較低，可以達到較好的焊接性能成本較低，可以達到較好的焊接性能 在電池片的反面（未鍍膜面）采用鋁漿料印刷整面在電池片的反面（未鍍膜面）采用鋁漿料印刷整面(除背銀電極外除背銀電極外)。背電場網板背電場網板印刷背電場后的硅片印刷背電場后的硅片背電場印刷背電場印刷背電場介紹背電場介紹背電場19、的作用：Al為P型雜質，燒結后可在背面擴散形成P+層，從而形成P+P結，阻止電子向背面運動。背電場漿料：鋁漿 在電池片的正面在電池片的正面(有減反射膜的面有減反射膜的面)同時用銀漿料印刷一排間隔均勻同時用銀漿料印刷一排間隔均勻的細柵線和主電極。的細柵線和主電極。正電極網板正電極網板印刷正電極后的硅片印刷正電極后的硅片正面電極銀漿印刷正面電極銀漿印刷正面電極：正面電極：正面電極為電池的物理負極，柵線起到收集電流的作用，又高又細是正電極不斷追求的方向；主柵除收集電流外，還需要有好的焊接性。正面電極所需漿料：銀漿正面電極照片正面電極照片正常部分正常部分異常部分異常部分印刷質量控制印刷質量控制 在生產20、過程中，為了保證電池片印刷的質量和穩定，必須對在生產過程中，為了保證電池片印刷的質量和穩定，必須對電池片電池片抽測印刷重量、檢察圖形印刷的完整性。抽測印刷重量、檢察圖形印刷的完整性。u背電極印刷：印刷圖案是否完好，線條流暢，無漏漿，無偏背電極印刷：印刷圖案是否完好，線條流暢，無漏漿，無偏移，無崩邊移，無崩邊u背電場印刷：印刷圖案是否完好，無漏漿，無偏移、無崩邊，背電場印刷：印刷圖案是否完好，無漏漿，無偏移、無崩邊，無缺失，無漏硅，無脫落，無鋁苞、鋁珠、鋁刺無缺失，無漏硅，無脫落，無鋁苞、鋁珠、鋁刺u正面電極印刷：印刷圖案是否完好，無毛邊，無偏移、無崩正面電極印刷：印刷圖案是否完好，無毛邊，無偏21、移、無崩邊、無斷線、虛印、細柵線加粗、主電極缺失、正電極翹曲邊、無斷線、虛印、細柵線加粗、主電極缺失、正電極翹曲等等u各道印刷重量各道印刷重量常見問題常見問題1.1.漏漿漏漿 常見原因：網版有破洞常見原因：網版有破洞2.2.虛印虛印 漿料周邊毛毛糙糙，不平直漿料周邊毛毛糙糙，不平直 常見原因：一般為我們的印刷參數不好或者印刷刮條不平。常見原因：一般為我們的印刷參數不好或者印刷刮條不平。有時也可能是我們的網版使用的時間太長而造成虛印，臺面有時也可能是我們的網版使用的時間太長而造成虛印，臺面不平。不平。常見問題常見問題3.3.堵網堵網常見原因：有干的漿料或碎片將本常見原因：有干的漿料或碎片將本該漏22、印漿料的地方堵起來了。該漏印漿料的地方堵起來了。4.4.鋁苞、鋁珠、鋁刺鋁苞、鋁珠、鋁刺 鋁背場不平整，有小疙瘩狀、刺狀的突起鋁背場不平整，有小疙瘩狀、刺狀的突起 常見原因：常見原因：1.1.鋁漿問題鋁漿問題 2.2.絨面問題絨面問題 3.3.燒結問題燒結問題 常見問題常見問題5.5.彎曲彎曲 常見原因：常見原因：1.1.硅片本身太薄硅片本身太薄 2.2.硅片的背電場鋁漿印不均勻硅片的背電場鋁漿印不均勻或太厚或太厚6.6.粘版粘版 硅片印完后被粘到網版上，而不是停在印刷臺面上硅片印完后被粘到網版上，而不是停在印刷臺面上 常見原因：絲網間距太小、印刷刮條不平、絲網漏過的漿料常見原因：絲網間距太小23、印刷刮條不平、絲網漏過的漿料過多（也可能停留時間太長）、網版張力下降、臺面吸力不過多（也可能停留時間太長）、網版張力下降、臺面吸力不夠夠常見問題常見問題7.7.斷線斷線常見原因：有東西粘在網版上造成常見原因：有東西粘在網版上造成堵網。堵網。8.8.節點節點網版細柵線上的粗點網版細柵線上的粗點常見原因：常見原因：1.1.細柵線上有一個小洞細柵線上有一個小洞在漏漿在漏漿 2.2.刮條不平整刮條不平整常見問題常見問題9.9.印刷圖形偏移印刷圖形偏移常見原因：印刷參數不正確、常見原因：印刷參數不正確、印刷臺面太臟，造成攝像頭進行印刷臺面太臟，造成攝像頭進行待印刷硅片位置校正時產生錯誤待印刷硅片位置校24、正時產生錯誤 10.10.隱裂或碎片隱裂或碎片 常常見見原原因因：吸吸片片器器問問題題、臺臺面面上上有有碎碎屑屑、臺臺面面不不平平、網網板板上上占有碎片或其它原因（原因較多）。占有碎片或其它原因（原因較多）。11.11.電極脫落電極脫落 常見原因：印刷問題或烘干、燒結問題常見原因：印刷問題或烘干、燒結問題 燒結段燒結段崗位基本操作及注意事項崗位基本操作及注意事項燒結在太陽電池生產工序中的位置燒結在太陽電池生產工序中的位置硅片硅片前清洗前清洗擴散擴散后清洗后清洗PECVD印刷背電極印刷背電極印刷鋁背場印刷鋁背場印刷正面電極印刷正面電極燒結燒結測試分選測試分選 上圖為硅太陽電池生產的主要工序，燒結25、是太陽電池生產的重要工序，上圖為硅太陽電池生產的主要工序，燒結是太陽電池生產的重要工序，燒結后的電池片將難以返工。燒結后的電池片將難以返工。烘干烘干 干燥硅片上的漿料,燃盡漿料的有機組分,玻璃體將氮化硅層蝕穿，金屬和硅互融形成合金，伴隨著雜質擴散過程，背電場形成，金屬與硅形成良好的歐姆接觸（形成正負極），同時氮化硅中的H被驅入硅片體內，達到體鈍化的目的.燒結的工藝過程燒結的目的燒結的目的印刷完硅片印刷完硅片烘干烘干燒結燒結冷卻冷卻燒結的動力學原理燒結的動力學原理v燒結可看作是原子從系統中不穩定的高能位置遷移至自由能最低的位置的過程.厚膜漿料中的固體顆粒系統是高度分散的粉末系統,具有很高的表面自26、由能.因為系統總是力求達到最低的表面自由能狀態,所以在厚膜燒結過程中,粉末系統總的表面自由能必然要降低,這就是厚膜燒結的動力.v固體顆粒具有很大的比表面積,具有極不規則的復雜表面狀態以及在顆粒的制造、細化處理等加工過程中,受到的機械、化學、熱作用所造成的嚴重結晶缺陷等,系統具有很高自由能.燒結時,顆粒由接觸到結合,自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統的自由能降低,系統轉變為熱力學中更穩定的狀態.這是厚膜粉末系統在高溫下能燒結成密實結構的原因.溫度設置溫度設置l燒結溫度的設置必須以最終的測試結果為標準，以綜合測試的I-V曲線和各項電性能參數來確定。相對于鋁漿燒結，銀漿的燒結要重27、要很多，對電池片電性能影響主要表現在串聯電阻和并聯電阻。鋁漿燒結的目的使漿料中的無機溶劑和有機溶劑完全揮發，并形成完好的鋁硅合金和鋁層。局部的受熱不均和散熱不均可能會導致起苞，嚴重的會起鋁珠、鋁刺。背面場經燒結后形成的鋁硅合金，鋁在硅中是作為P型摻雜，它可以減少金屬與硅交接處的少子復合，從而提高開路電壓和短路電流，改善對紅外區的光譜響應。l要想得到良好的燒結溫度曲線，還要對帶速進行調節測試分選段測試分選段崗位基本操作及注意事項崗位基本操作及注意事項測試分選在太陽電池生產工序中的位置測試分選在太陽電池生產工序中的位置硅片硅片前清洗前清洗擴散擴散后清洗后清洗PECVD印刷背電極印刷背電極印刷鋁背場28、印刷鋁背場印刷正面電極印刷正面電極燒結燒結測試分選測試分選 上圖為硅太陽電池生產的主要工序，測試分選是太陽電池生產的最后上圖為硅太陽電池生產的主要工序，測試分選是太陽電池生產的最后工序。工序。烘干烘干 測試條件：光強：測試條件：光強：1000W/m2 光譜分布：光譜分布：AM1.5 電池溫度：電池溫度：25測試分選的目的測試分選的目的通過模擬太陽燈通過模擬太陽燈光照射到電池片光照射到電池片表面，測試太陽表面，測試太陽電池的電性能參電池的電性能參數，并將電池片數，并將電池片分出不同的檔位分出不同的檔位等效電路等效電路RsIDILIshUCjIRLUjRsh 當受光照射的太陽能接上負載時，光生電流29、經負載，并在負載兩端建立起端電壓。這時太陽能電池的工作情況可由左圖所示等效電路來描述。圖中把太陽能電池看成穩定的產生光電流IL的電流源。由圖中可以看出，流經負載的電流為I=ILID-Ish。VOC：RL=時（I=0，相當于開路）的電壓V為開路電壓VOC。ISC ：RL=0 時（U=0，相當于短路）的電流I為短路電流ISC。Rsh ：周邊刻蝕沒有完全刻掉，存在漏電，上下導通的電阻為并聯電阻。RS ：串聯電阻由材料體電阻、接觸電阻、探針及導線電阻幾部分組成。Irev=ID(P-N結漏電)+Ish（邊緣漏電，等離子刻蝕）I-V曲線曲線OVmVocImIscVIAM當負載RL從0變化到無窮的時候，就可以畫出太陽能的負載特性曲線（伏安特性曲線）。曲線上的每一點稱為工作點，工作點的橫坐標和縱坐標即為相應的工作電壓和工作電流。若改變負載RL達到某一個特定值Rm，此時在曲線上得到一個點M，對應的工作電流和工作電壓之積最大（PmImVm），我們就稱這點M為該太陽電池的最大功率點。其中Im為最佳工作電流，Vm為最佳工作電壓，Rm為最佳負載電阻，Pm為最大輸出功率。填充因子FF：太陽電池負載特性曲線太陽電池的效率界面介紹界面介紹電電性性能能參參數數分選檔位分選檔位IV曲線圖曲線圖測試分選設備測試分選設備設備圖片介紹設備圖片介紹測測試試探探針針