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微電子科技公司表面貼裝IC封裝測試項基礎工程基坑開挖支護施工方案【27頁】.doc

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施工方案

上傳人：故事編號：197499 2021-11-10 28頁 107KB

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1、基礎工程基坑開挖支護施工方案基礎工程基坑開挖支護施工方案第一篇、工程概況 1.1 工程簡介序號項目內容 1 工程名稱表面貼裝 IC 封裝測試項目（二期） 2 工程地址 XX 市 XX 區(qū) XX 鎮(zhèn) XX 東路 323 號 3 建設單位 XX 微電子科技有限公司 4 施工總承包單位 XX 建設集團有限公司 5 監(jiān)理單位 XX 總工工程建設監(jiān)理有限公司 6 設計單位 XX 建筑設計有限公司/XX 建筑設計有限公司 7 勘察單位 XX 巖土工程勘察有限公司 8 總用地面積 5150 平米 9 總建筑面積 40760 平米 10 地上建筑面積 35610 平米 11 地下建筑面積 52、150 平米 12 工程性質新建 1.2 建筑概況本工程為 XX 微電子科技有限公司表面貼裝 IC 封裝測試項目（二期）高層丙類廠房。地下一層、地上十層。地下一層，平時為汽車停車庫及設備用房，戰(zhàn)時為甲類工程、核 6 常 6 兩個二等人員掩蔽部。地上一十層為高層丙類廠房。本工程的設計標高0.000 相當于絕對標高 5.05m（吳淞高程），目前自然地面標高為絕對標高+4.50m。 1.3 結構概況本工程采用樁基筏板基礎，鋼筋砼框架剪力墻結構，樁基采用 PHC 管樁，具體詳見建筑項目一覽表及基坑開挖深度信息表。建筑項目一覽表序號建筑單位名稱建筑層數是否由地向下室基礎形式3、 1 高層廠房 10 層有梁筏（樁基） 2 23 廠房 23 層有梁筏（樁基）基坑開挖深度信息表底板面標高 m（相對標高）底板/承臺厚度 m 墊層厚度 m 室外自然地坪（最高處）相對標高基坑開挖深度 m 二期廠房 -4.80 0.5/1.2 0.15 -0.55m 4.90/5.6 1.4 圍護體系介紹圍護結構：本工程地下部分基坑開挖面積為 5710 平米。周長約 312m，基坑開挖深度 5.6m，局部落深部位開挖深度為 6.35m。本工程圍護形式采用，以放坡開挖結合水泥土攪拌樁重力壩及局部采用 SMW 工法圍護的綜合維護體系，分述如下：放坡開挖：基坑南側、北側、西側因環(huán)境寬松，考慮兩級放坡，一級放坡深度 2.6m，放坡坡寬 4m，留 3m 寬平臺后二級放坡開挖至坑底，放坡坡度底寬 6m。水泥土攪拌樁重力壩，基坑東側，挖深 5.6m。采用

基坑支護施工方案（共27套打包）基坑支護施工方案（共27套打包）

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