濟南市高性能半導體碳化硅產業鏈發展規劃報告方案建議書(2013—2020年)（21頁）.doc
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上傳人：偷****
編號：209412
2021-11-29
20頁
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1、濟南市高性能半導體產業鏈發展規劃(20132020 年)以碳化硅、氮化銖、規酸鋰為代表的高性能半導體晶體 廣泛應用于信息傳輸、光存儲、光通訊、微波、LED、汽車 電子、航空航天、高速列車、智能電網和超高壓輸變電、石 油勘探、雷達與通信等國民經濟和軍工領域。隨著經濟社會 的快速發展，碳化硅、銀酸鋰等高性能半導體材料、器件和 應用產品需求日益旺盛。據不完全統計，我國年進口高性能 控制器件和光電子器件超過3000億美元。為加快培育我市高性能半導體產業集群，建設國內領 先、國際先進的產業基地，特制定本規劃，規劃期為2013年-2020年，近期為2013-2016年。本規劃所指的高性能半導 體產業主要包2、括：碳化硅、規酸鋰等晶體材料制備和加工， 碳化硅、規酸鋰薄膜器件及下游應用產品的開發生產，相關 裝備制造，產業鏈涉及的關鍵配件和配套產業等。一、國內外發展現狀一、國內外發展現狀(-)碳化硅產業發展現狀。碳化硅單晶材料是目前發展最為成熟的第三代半導體 材料，其禁帶寬度是硅的3倍，飽和電子漂移速率是硅的2倍, 臨界擊穿電場大于硅的10倍或神化傢的5倍，熱導率是藍寶 石的20倍或碑化銖的10倍，化學穩定性好，在高溫、高壓、 高頻、大功率、光電、抗輻射、微波等電子應用領域和航天、 軍工、核能等極端環境應用有著不可替代的優勢。碳化硅晶體材料生長、加工難度極大，目前世界上只有 少數幾家企業能夠實現碳化硅晶3、體材料的產業化。美國科銳 公司(Cree)是碳化硅半導體行業的先行者和領先者，已研 制出了6英寸碳化硅襯底片。2012年，該公司碳化硅晶體材 料的產量在80100萬片之間，控制了國際碳化硅襯底片的 市場價格和質量標準。美國二六(II-VI )、道康寧(DowCorning)、德國SiCrystal AG、日本新日鐵等公司也相繼 推出了23英寸碳化硅襯底片生產計劃，搶占碳化硅市場份 額。國內自上世紀90年代以來，山東大學、中科院等高校和 科研院所相繼開展了碳化硅單晶生長技術的研究。2011年， 山東天岳公司在消化吸收山東大學研究成果的基礎上，成功 實現碳化硅襯底片的產業化，成為世界上少數幾家同時掌握N型和半絕緣型碳化硅半導體材料生產技術的企業之一，晶 體生長和襯底加工技術達到世界先進水平，打破了西方發達 國家對我國的技術壟斷和封鎖。此外，北京天科合達具備了 生產2-4英寸導電型碳化硅襯底片的
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