微電子科技公司表面貼裝IC封裝測試項基礎工程基坑開挖支護施工方案【27頁】.doc
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微電子科技公司表面貼裝IC封裝測試項基礎工程基坑開挖支護施工方案【27頁】.doc
1、基礎工程基坑開挖支護施工方案基礎工程基坑開挖支護施工方案 第一篇、工程概況 1.1 工程簡介 序 號 項 目 內 容 1 工程名稱 表面貼裝 IC 封裝測試項目（二期） 2 工程地址 XX 市 XX 區 XX 鎮 XX 東路 323 號 3 建設單位 XX 微電子科技有限公司 4 施工總承包單位 XX 建設集團有限公司 5 監理單位 XX 總工工程建設監理有限公司 6 設計單位 XX 建筑設計有限公司/XX 建筑設 計有限公司 7 勘察單位 XX 巖土工程勘察有限公司 8 總用地面積 5150 平米 9 總建筑面積 40760 平米 10 地上建筑面積 35610 平米 11 地下建筑面積 5
2、150 平米 12 工程性質 新建 1.2 建筑概況 本工程為 XX 微電子科技有限公司表面貼裝 IC 封裝測試項目（二 期）高層丙類廠房。地下一層、地上十層。 地下一層，平時為汽車停車庫及設備用房，戰時為甲類工程、核 6 常 6 兩個二等人員掩蔽部。地上一十層為高層丙類廠房。 本工程的設計標高0.000 相當于絕對標高 5.05m（吳淞高程） ，目 前自然地面標高為絕對標高+4.50m。 1.3 結構概況 本工程采用樁基筏板基礎，鋼筋砼框架剪力墻結構，樁基采用 PHC 管樁，具體詳見建筑項目一覽表及基坑開挖深度信息表。 建筑項目一覽表 序號 建筑單位名稱 建筑層數 是否由地向下 室 基礎形式
3、 1 高層廠房 10 層 有 梁筏（樁基） 2 23 廠房 23 層 有 梁筏（樁基） 基坑開挖深度信息表 底板面標高 m（相對標 高） 底板/承臺 厚度 m 墊層厚 度 m 室外自然地坪 （最高處）相對 標高 基坑開 挖深度 m 二期 廠房 -4.80 0.5/1.2 0.15 -0.55m 4.90/5.6 1.4 圍護體系介紹 圍護結構： 本工程地下部分基坑開挖面積為 5710 平米。周長約 312m，基坑開 挖深度 5.6m， 局部落深部位開挖深度為 6.35m。 本工程圍護形式采用， 以放坡開挖結合水泥土攪拌樁重力壩及局部采用 SMW 工法圍護的綜 合維護體系，分述如下： 放坡開挖：基坑南側、北側、西側因環境寬松，考慮兩級放坡， 一級放坡深度 2.6m，放坡坡寬 4m，留 3m 寬平臺后二級放坡開挖至 坑底，放坡坡度底寬 6m。 水泥土攪拌樁重力壩，基坑東側，挖深 5.6m。采用
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