濟南市高性能半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展規(guī)劃報告方案建議書(2013—2020年)(21頁).doc
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濟南市高性能半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展規(guī)劃報告方案建議書(2013—2020年)(21頁).doc
1、濟南市高性能半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展規(guī)劃(20132020 年)以碳化硅、氮化銖、規(guī)酸鋰為代表的高性能半導(dǎo)體晶體 廣泛應(yīng)用于信息傳輸、光存儲、光通訊、微波、LED、汽車 電子、航空航天、高速列車、智能電網(wǎng)和超高壓輸變電、石 油勘探、雷達與通信等國民經(jīng)濟和軍工領(lǐng)域。隨著經(jīng)濟社會 的快速發(fā)展,碳化硅、銀酸鋰等高性能半導(dǎo)體材料、器件和 應(yīng)用產(chǎn)品需求日益旺盛。據(jù)不完全統(tǒng)計,我國年進口高性能 控制器件和光電子器件超過3000億美元。為加快培育我市高性能半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群,建設(shè)國內(nèi)領(lǐng) 先、國際先進的產(chǎn)業(yè)基地,特制定本規(guī)劃,規(guī)劃期為2013年-2020年,近期為2013-2016年。本規(guī)劃所指的高性能半導(dǎo) 體產(chǎn)業(yè)主要包
2、括:碳化硅、規(guī)酸鋰等晶體材料制備和加工, 碳化硅、規(guī)酸鋰薄膜器件及下游應(yīng)用產(chǎn)品的開發(fā)生產(chǎn),相關(guān) 裝備制造,產(chǎn)業(yè)鏈涉及的關(guān)鍵配件和配套產(chǎn)業(yè)等。一、國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀一、國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀(-)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀。碳化硅單晶材料是目前發(fā)展最為成熟的第三代半導(dǎo)體 材料,其禁帶寬度是硅的3倍,飽和電子漂移速率是硅的2倍, 臨界擊穿電場大于硅的10倍或神化傢的5倍,熱導(dǎo)率是藍寶 石的20倍或碑化銖的10倍,化學(xué)穩(wěn)定性好,在高溫、高壓、 高頻、大功率、光電、抗輻射、微波等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、 軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢。碳化硅晶體材料生長、加工難度極大,目前世界上只有 少數(shù)幾家企業(yè)能夠?qū)崿F(xiàn)碳化硅晶
3、體材料的產(chǎn)業(yè)化。美國科銳 公司(Cree)是碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)的先行者和領(lǐng)先者,已研 制出了6英寸碳化硅襯底片。2012年,該公司碳化硅晶體材 料的產(chǎn)量在80100萬片之間,控制了國際碳化硅襯底片的 市場價格和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。美國二六(II-VI )、道康寧(DowCorning)、德國SiCrystal AG、日本新日鐵等公司也相繼 推出了23英寸碳化硅襯底片生產(chǎn)計劃,搶占碳化硅市場份 額。國內(nèi)自上世紀90年代以來,山東大學(xué)、中科院等高校和 科研院所相繼開展了碳化硅單晶生長技術(shù)的研究。2011年, 山東天岳公司在消化吸收山東大學(xué)研究成果的基礎(chǔ)上,成功 實現(xiàn)碳化硅襯底片的產(chǎn)業(yè)化,成為世界上少數(shù)幾家同時掌握N型和半絕緣型碳化硅半導(dǎo)體材料生產(chǎn)技術(shù)的企業(yè)之一,晶 體生長和襯底加工技術(shù)達到世界先進水平,打破了西方發(fā)達 國家對我國的技術(shù)壟斷和封鎖。此外,北京天科合達具備了 生產(chǎn)2-4英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片的