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高亮度LED紅黃光芯片、大功率半導體器件(IGBT)等綜合性半導體產業園建設項目可行性研究報告(含附表)(87頁).doc

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高亮度LED紅黃光芯片、大功率半導體器件(IGBT)等綜合性半導體產業園建設項目可行性研究報告(含附表)(87頁).doc

1、高亮度高亮度 LEDLED 紅黃光芯片紅黃光芯片、大功率半導體器件大功率半導體器件(IGBTIGBT) 、骨導通訊系統骨導通訊系統(軍民兩用軍民兩用) 、二極管管腳引直等綜合二極管管腳引直等綜合性半導體產業園性半導體產業園項目項目可行性研究報告可行性研究報告二一六年十二月二一六年十二月目目錄錄第 1 章 項目總論.11.1 項目背景.11.1.1 項目名稱.11.1.2 項目擬建地點.11.1.3 項目建設內容.11.1.4 項目組成員.錯誤!未定義書簽。錯誤!未定義書簽。1.2 編制依據及研究范圍.21.2.1 編制的依據.21.2.2 編制研究范圍.21.3 可行性研究結論.21.3.1

2、投資估算和資金籌措. 21.3.2 項目財務和經濟評價. 31.3.3 項目綜合評價結論. 31.4 主要技術經濟指標表.4第 2 章 項目背景及優勢分析.52.1 項目提出背景.52.2 本項目優勢.5第 3 章 項目市場分析.73.1 LED 產品市場分析.73.1.1 LED 產品概述.73.1.2 產品用途.83.1.3 國內發展狀況.103.2 大功率半導體器件(IGBT)市場分析.103.2.1 大功率半導體器件的定義范圍.103.2.2 市場概況.10主要國家或經濟體大功率半導體市場規模及發展趨勢分析.113.2.4 中國大功率半導體器件市場分析.123.3 骨導通訊系統市場分析

3、. 133.3.1 市場概況.133.3.2 應用特點.143.3.3 應用范圍.143.3.4 市場前景.153.4 二極管管腳引直市場分析. 153.4.1 二極管管腳引直產品簡介. 153.4.2 市場分析.163.5 小結.16第 4 章 產品方案和建設規模.174.1 產品方案.174.2 建設規模.174.2.1 項目產品設計產量. 174.2.2 項目建設內容.17第 5 章 建設條件與廠址選擇.195.1 項目建設地點.195.2 項目建設條件.205.2.1 地質、地貌.205.2.2 氣候條件.205.2.3 自然資源.205.2.4 社會經濟條件.215.2.5 交通條件.215.2.6 基礎設施條件.215.3 項目建設條件評價.22第 6 章 工廠技術方案.236.1 項目組成.236.2 生產技術方案.236.2.1 工藝流程.236.2.2 公司技術優勢.26


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