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第三代半導體SiC功率模塊研發及產業化項目環境影響評價報告表（45頁）.doc

資源ID：356262 資源大小：441.04KB 全文頁數：43頁
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第三代半導體SiC功率模塊研發及產業化項目環境影響評價報告表（45頁）.doc

1、福建省建設項目環境影響報告表（適用于工業型建設項目）項目名稱第三代半導體第三代半導體 SiC 功率模塊研發及產業化項目功率模塊研發及產業化項目建設單位 ( 蓋章 )廈門廈門 XX 科技有限公司科技有限公司法人代表( 蓋章或簽字 )聯系人聯系電話郵政編碼環保部門填寫環保部門填寫收到報告表日期收到報告表日期編編號號福福建建省省環環境境保保護護局局制制一、基本情況一、基本情況項目名稱第三代半導體 SiC 功率模塊研發及產業化項目建設單位廈門 XX 科技有限公司建設地點地理坐標1181524.01E243851.50N排水去向翔安污水處理廠建設依據廈高管【】91 號主管部門廈門火炬高技

2、術產業開發區管理委員會建設性質新建行業代碼C3971 電子元件及組件制造工程規模總建筑面積 73385m2，年產DIP IPM700 萬件，工業模塊300 萬件，汽車模塊 150 萬件總規模總建筑面積 73385m2，年產DIP IPM700 萬件，工業模塊300 萬件，汽車模塊 150 萬件總投資200000 萬元環保投資90 萬元主要產品名稱主要產品產量（萬件/a）主要原輔材料名稱主要原輔材料現狀用量主要原輔材料新增用量（t/a）主要原輔材料預計總用量（t/a）DIP IPM700功率器件/15521552工業模塊300絕緣陶瓷基板/624.2624.2汽車模塊150銅底板/1225122

3、5外売/28.528.5焊片/1.11.1鋁線/5.75.7硅凝膠/1313壓環/3.23.2端子/5.55.5電阻/0.50.5螺母/85.885.8主要能源及水資源消耗名稱現狀用量新增用量預計總用量水（t/a）/2829028290電（萬 kWh/a）/22602260燃煤（t/a）/燃油（t/a）/燃氣（萬 m3/a）/其他/二、項目由來二、項目由來廈門 XX 科技有限公司成立于年 3 月 15 日，屬于法人商事主體，住所為廈門火炬高新區火炬園火炬路 56-58 號火炬廣場南樓 203-76（該住所僅限作為商事主體法律文書送達地址），法定代表人卓廷厚，注冊資本 2 億元整。主要從事工程和技術研究和試驗發展；自然科技研究和試驗發展；計算機整機制造；計算機零部件制造；計算機外圍設備制造；其他計算機制造；通信系統設備制造；通信終端設備制造；電子真空器件制造；半導體分立

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第三代半導體SiC功率模塊研發及產業化項目環境影響評價報告表（45頁）.doc

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